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微纳电子技术期刊
出版文献量（篇）
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名： 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄市179信箱46分箱
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  • 31. 基于Pspice的RTD等效模型及其应用电路研究
    作者： 任勇峰 杨倩 沈三民
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2008年3期
    页码:  131-135
    摘要： 简要介绍了RTD(共振隧穿二极管)的微分负阻特性及其等效电路,通过对实际AlAs/InxGa1-xAs/GaAs双势垒共振隧穿结构,I-V曲线拟合,得出RTD的Pspice等效电路模型参数....
  • 32. 双色量子阱红外探测器中的耦合光栅
    作者： 尹顺政 李献杰 赵永林 齐利芳
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2008年3期
    页码:  136-139
    摘要： 在量子阱红外探测器(QWIP)上制备光栅的目的是对垂直入射的红外辐射进行有效耦合.从实验、测试和有关文献出发,探讨了影响其耦合效率的参数及参数的优化值.重点分析了双色QWIP的光栅设计问题,...
  • 33. 基于SWB环境下的nm级NMOS虚拟优化
    作者： 于英霞 刘岩 吴胜龙 张宪敏 李惠军 赵守磊
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2008年3期
    页码:  140-144
    摘要： 介绍了Synopsys Inc.推出的新一代(第五代)nm级TCAD仿真平台--Sentaurus Work-bench(SWB)的系统结构、基本功能及其优化功能,重点介绍了SWB的DOE及...
  • 34. 纳米TiO2光催化剂的改性及应用研究进展
    作者： 乔青安 唐荣 曹沛森 毛伟鹏 王玉宝 许璞 高善民
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2008年3期
    页码:  145-152
    摘要： 对纳米TiO2的光催化反应机理及制备方法做了简要阐述,重点介绍了目前在纳米TiO2掺杂改性方面,尤其是非金属掺杂和共掺杂改性方面的研究进展.氮掺杂的TiO2是新发现的具有可见光催化活性的复合...
  • 35. GaN基材料及其外延生长技术研究
    作者： 刘一兵 刘国华 黄新民
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2008年3期
    页码:  153-157
    摘要： 介绍了GaN基材料的基本特性、三种主要外延生长技术(MOCVD、MBE、HVPE)、衬底材料的选择及缓冲层技术;分析得出目前存在的GaN体单晶技术不完善、外延成本高、衬底缺陷及接触电阻大等主...
  • 36. 高场非对称波形离子迁移谱仪的初步研究
    作者： 张文栋 熊继军 王志刚
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2008年3期
    页码:  158-161
    摘要： 介绍了一种基于高场非对称波形离子迁移谱技术的生化检测方法,它根据各种离子在高电场中迁移率变化不同的特性实现对各种生化物质进行检测.经过理论计算,分析了高场非对称波形离子迁移谱仪的基本原理,推...
  • 37. 仿壁虎微米阵列的力加工及其粘附作用分析
    作者： 王辉静
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2008年3期
    页码:  162-165
    摘要： 简要阐述了以MEMS加工技术制备柔性仿壁虎微米阵列的方法,进行实验装置以及实验方法的设计,利用所设计的粘附力测量装置,观测具有不同几何参数的微米阵列样本在不同条件下的粘附效果.主要比较了微米...
  • 38. 直流电渗流在微通道内的控制与仿真研究
    作者： 姜洪源 杨胡坤 王扬
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2008年3期
    页码:  166-169
    摘要： 双电层是电渗流形成的关键因素,通过分析双电层的产生过程,解释了电渗流的形成机制.探讨了与直流电渗流形成相关的Poisson-Boltzmann 方程、Laplace方程及Navier-Sto...
  • 39. SU-8胶微结构的显影技术研究
    作者： 郑晓虎
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2008年3期
    页码:  170-173
    摘要： 突破了传统深宽比概念,提出金属基底上基于图形特征的光刻胶显影技术,对采用SU-8胶加工高分辨率和高深宽比微结构的显影工艺进行了讨论,分析了120～340 μm厚具有不同图形特征的SU-8胶显...
  • 40. 三维金属MEMS器件电化学制造技术
    作者： 王晓霞
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2008年3期
    页码:  174-178
    摘要： EFAB技术是微加工领域一项重大的突破,开辟了MEMS金属器件加工的新天地,与其他微加工技术相比,EFAB技术的主要优点是:可实现MEMS中复杂三维金属微结构器件快速、自动化、批量制造.基于...
  • 41. Cu金属化系统双扩散阻挡层的研究
    作者： 刘丹敏 吉元 夏洋 李志国 王晓冬 肖卫强 钟涛兴
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2008年3期
    页码:  179-182
    摘要： 采用二次离子质谱仪(SIMS)测试了SiON和Ta双层扩散阻挡层及Ta扩散阻挡层的阻挡性能;采用X射线衍射仪(XRD)测量了沉积态有Ta阻挡层和无阻挡层Cu膜的晶体学取向结构;利用电子薄膜应...
  • 42. 技术
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2008年3期
    页码:  183-184
    摘要：
  • 43. 产品
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2008年3期
    页码:  184-185
    摘要：
  • 44. 市场
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2008年3期
    页码:  185-186
    摘要：
  • 45. 提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率的途径
    作者： 姚国晓 彭英才 王侠 马蕾
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  187-192,197
    摘要： 多晶Si薄膜对可见光进行有效地吸收、光照稳定性好、制作成本低,被公认为是高效率和低成本的光伏器件材料.以提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率为主线,介绍了增大晶粒尺寸以增加载流子迁移率、进行表面...
  • 46. 小尺寸超高频双极晶体管工艺及特性模拟
    作者： 刘岩 吴胜龙 李惠军 赵守磊
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  193-197
    摘要： 基于通信系统中射频电路设计的特殊要求,对小尺寸(基区宽度低于100 nm)、超高频(特征频率高于15 GHz)双极晶体管工艺制程和器件的物理特性进行了模拟,为工艺线流片进行可行性研究.该器件...
  • 47. 单电子晶体管的蒙特卡罗模拟及宏观建模
    作者： 孙海定 江建军
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  198-204
    摘要： 以单电子晶体管为研究对象,系统阐述了库仑阻塞、库仑台阶、单电子隧穿等物理现象的产生机理.微观模拟与宏观建模相结合,着重介绍了如何用蒙特卡罗方法和Matlab相结合对上述各种物理现象进行数值模...
  • 48. 腐蚀法制备绒面ZnO透明导电薄膜
    作者： 刘佳宇 朱开宇 王文辕
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  205-208
    摘要： 利用中频脉冲磁控溅射系统制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜.对平面ZnO薄膜进行短时间弱酸腐蚀,可以获得绒面效果的ZnO透明导电薄膜.分析了工作气压和衬底温度对薄膜绒面结构的影响,获得了...
  • 49. Bi2O3/TiO2纳米复合物的微波合成及光催化性质
    作者： 廖学红 王小佳
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  209-213
    摘要： 以硝酸铋和硫酸钛为原料,通过直接投料微波辐射水解合成法制备了掺铋TiO2纳米复合物,并用XRD、TEM进行了表征.结果表明,直接投料摩尔比为1:10掺铋TiO2纳米复合物,经500℃热处理后...
  • 50. 基于MEMS技术的微波滤波器研究进展
    作者： 张永华 欧阳炜霞 王超 赖宗声 郭兴龙
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  214-218,234
    摘要： 基于MEMS技术的滤波器是现行RF结构中一个关键的MEMS器件.与传统的采用金属矩形或圆柱波导以及半导体元件制作的滤波器相比,MEMS滤波器具有低损耗、高隔离度、线性好、体积小、易于集成等优...
  • 51. 新型三轴MEMS热对流加速度传感器的研究
    作者： 吕树海 徐永青 徐淑静 徐爱东 杨拥军
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  219-221
    摘要： 介绍了一种基于热流原理的新型三轴MEMS热对流加速度传感器,它没有活动质量,无需多个器件组合就可以进行任意方向的加速度信号测量.分析了该器件的工作原理.设计了器件结构,进行了工艺开发,加工出...
  • 52. 纳米光刻对准方法及其原理
    作者： 严伟 周绍林 唐小萍 杨勇 胡松 陈旺富 马平
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  222-230
    摘要： 对准技术对光刻分辨力的提高有着重要作用.45 nm节点以下的光刻技术如纳米压印等,对相应的对准技术提出了更高的要求.对光刻技术发展以来主要用于接近接触式和纳米压印光刻的对准技术做总结分类,为...
  • 53. 变温腐蚀法制备纳米光纤探针
    作者： 杨修文 祝生祥 胡毅
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  231-234
    摘要： 通过改变温度,用腐蚀的方法制备出用于近场光学显微镜的光纤探针.通过控制光纤在不同温度的腐蚀液中腐蚀的时间,制备出多种形貌的光纤探针,所制作探针的锥形过渡区短而锥角大.该法具有重复性高、探针形...
  • 54. 一维纳米结构的拉伸力学测试
    作者： 李铁 王跃林 金钦华
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  235-239,244
    摘要： 对一维纳米结构开展轴向拉伸测试时,面临着样品制备、装载、拉伸、样品的轴向应力与应变的高精度测量等难点,解决途径包括改造现代显微仪器、研制MEMS力学测试芯片及发展一维纳米样品的制备与装载技术...
  • 55. Si基GaN薄膜的制备方法及结构表征
    作者： 卓博世 崔传文 张敬尧 张月甫 李玉国
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  240-244
    摘要： 分别采用射频磁控溅射、热壁化学气相沉积(CVD)、电泳沉积法制备GaN薄膜.利用扫描电镜(SEM)、荧光光谱仪对样品进行结构、形貌和发光特性的分析比较.射频磁控溅射方法中,把SiC中间层沉淀...
  • 56. 国际视点
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  245
    摘要：
  • 57. 业界快讯
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  246-249
    摘要：
  • 58. 基于晶格动力学的纳米薄膜热特性研究
    作者： 李圣怡 黄建平
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  249-254
    摘要： 针对分子动力学模拟存在的缺点,提出了基于晶格动力学模拟纳米薄膜热特性的新方法,并用该方法模拟了各种不同厚度的硅和氩纳米薄膜的比热、熔化温度、热膨胀系数和热传导系数等热特性参数.计算结果表明纳...
  • 59. 混合SETMOS神经元分段线性输出函数的实现
    作者： 冯朝文 吴刚 蔡理
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  255-259
    摘要： 提出了一种结构简单的神经元分段线性输出函数SETMOS实现方式.理论分析了恒流源偏置下单电子晶体管(SET)器件的特性和神经元分段线性输出函数.利用SET和金属氧化物场效应晶体管(MOSFE...
  • 60. 高斜率效率隧道结叠层激光器的研制
    作者： 刘英斌 安振峰 张世祖 杨红伟 林琳 王晓燕 花吉珍 陈宏泰
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  260-263
    摘要： 隧道结叠层激光器技术具有广泛的应用空间,如高斜率效率、高功率密度、多波长激光器等.采用LP-MOCVD系统生长隧道结材料,CCl4作为P型掺杂源,SiH4作为n型掺杂源,并采用δ掺杂技术,使...

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

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