微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
3266
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16974

微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量(篇)
3266
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16974
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  • 作者: 万军 仇洪波 刘邦武 夏洋 李勇 李惠琪 李超波 陈波
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年11期
    页码:  701-708,731
    摘要: 原子层沉积(ALD)技术是制备复杂纳米结构材料以及材料表面改性的关键技术,该技术已得到了国内外学术界的大量研究.简单介绍了ALD技术、沉积过程、该技术的优点以及该技术可以沉积的薄膜材料,重点...
  • 作者: 汪慧 解光军 黄文龙
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年11期
    页码:  709-715,725
    摘要: 量子细胞自动机(QCA)是一种基于元胞自动机结构的纳米器件,该器件通过电子占据量子点的位置来表征二进制信息.针对QCA加法器电路的国内外研究状况,首先分别详细地综述了进位传送加法器、载流加法...
  • 作者: 杨富华 樊中朝 贾利芳 颜伟
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年11期
    页码:  716-725
    摘要: 作为第三代宽禁带半导体器件,GaN基HFET功率器件具耐高压、高频、导通电阻小等优良特性,在电力电子器件方面也具有卓越的优势.概述了基于电力电子方面应用的AlGaN/GaN HFET功率器件...
  • 作者: 刘继文 刘超 张礼刚 贾利云 韦志仁
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年11期
    页码:  726-731
    摘要: 采用水热法,在前驱物Zn (OH)2中添加一定量的分析纯FeSO4·7H2O和CuCl2·2H2O或SnCl2·2H2O,以3 mol/L KOH溶液作为矿化剂,填充度为35%,反应温度43...
  • 作者: 康雪雅 张璐 窦俊青 韩英
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年11期
    页码:  732-735,761
    摘要: 以AlN,SiO2和Al2O3为主要原料,采用固相法制备出一种新型高材料常数B值负温度系数(NTC)热敏电阻材料.借助XRD、SEM、粒度分析和阻温特性测试仪等,研究了所制备NTC热敏电阻材...
  • 作者: 丁玉成 李欣 李祥明 田洪淼 邵金友
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年11期
    页码:  736-742
    摘要: 电场诱导聚合物流变成型作为一种新型的利用外部电场实现微纳米复型的技术得到越来越多的关注.为了深入理解复型本质与影响因素,提出了电流体动力学(EHD)理论与动网格方法耦合的模型,从数值模拟角度...
  • 作者: 孙永荣 李荣冰 杭义军 王小春
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年11期
    页码:  743-748
    摘要: 针对微小型惯性测量单元(MIMU)工程应用的实际条件,设计了MEMS加速度计组安装误差与温度漂移误差的两步解耦标定方法.该标定方法基于MIMU结构封装确定、三轴加速度计之间安装关系固定、非正...
  • 作者: 刘俊 崔敏 李孟委 李锡广 王莉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年11期
    页码:  749-754,766
    摘要: 针对MEMS陀螺中带孔结构的空气阻尼问题,根据制作的微陀螺,利用MATLAB软件对模态匹配、Q值匹配与灵敏度之间的关系进行了仿真分析.仿真结果表明在驱动和检测模态匹配时灵敏度幅值最大,但工作...
  • 作者: 刘玉岭 包捷 胡轶 郑伟艳 黄汀鹤
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年11期
    页码:  755-761
    摘要: 在ULSI多层铜布线中,由于钽与铜在物理及化学性质上的差别导致这两者的CMP去除速率不同,从而在抛光结束后出现蝶形坑等缺陷,影响器件性能.通过实验分析碱性抛光液中磨料、螯合剂、氧化剂、pH值...
  • 作者: 张继华 李章恒 杨传仁 赵强 陈宏伟
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年11期
    页码:  762-766
    摘要: 采用传统陶瓷工艺制作溅射靶材,通过射频磁控溅射法在Al2O3基片上制备了Mn-Co-Ni-O系NTC薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)对不同退火温度下制备的NTC薄膜的...
  • 作者: 王玲
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2012年11期
    页码:  767
    摘要:

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

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1. 俄罗斯《AJ》收录
2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

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