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电荷平衡器件的结构及其制造方法
电荷平衡器件的结构及其制造方法
申请人：
摘要：
本发明公开了一种半导体功率器件，该半导体功率器件设置在半导体衬底上且该半导体衬底包括若干深沟槽。该深沟槽由一外延层填充，因此形成一顶部外延层，其覆盖在深沟槽的顶部表面上方及覆盖在半导体衬底的上方。该半导体功率器件还包括若干设置在顶部外延层中的晶体管单元，从而半导体功率器件的器件性能取决于深沟槽的深度，而并非取决于顶部外延层的厚度。每一个晶体管单元包括一沟槽DMOS晶体管单元，该沟槽DMOS晶体管单元包括沟槽栅极，其开设在顶部外延层中，并填充有栅极介电材料。
基本信息
| 专利类型 | 发明 | ||
| 申请(专利)号 | CN200910171312.8 | 申请日 | 2009-08-20 |
| 授权公布号 | CN101667579B | 授权公告日 | 2011-11-16 |
| 申请人 | 万国半导体股份有限公司 | ||
| 地址 | 百慕大哈密尔敦丘奇街2号克拉伦登宅 | ||
| 发明人 | 弗兰茨娃·赫尔伯特 | ||
| 分类号 | H01L27/088(2006.01) H01L29/78(2006.01) H01L29/06(2006.01) H01L29/36(2006.01) H01L21/8234(2006.01) H01L21/265(2006.01) | 主分类号 | H01L27/088(2006.01) |
| 国省代码 | 百慕大群岛 | 页数 | 46 |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | ||
| 代理人 | 万国半导体股份有限公司 | ||
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