动态随机存取存储器的有源区接触窗及其制造方法

摘要:
本发明提供一种动态随机存取存储器的有源区接触窗及其制造方法,其中的存储器有源区制造方法,包括在基板上形成导电层,覆盖接触窗区域与位线。上述动态随机存取存储器至少包括基板、基板内的隔离结构、经由隔离结构隔开的有源区、穿过有源区的埋入式字线以及基板上的位线,其中每一有源区包括多个接触窗区域。在形成导电层后,去除接触窗区域以外的上述导电层,以形成多个有源区接触窗,再于所述基板上形成绝缘层,覆盖有源区接触窗。
基本信息
专利类型 发明
申请(专利)号 CN201410803389.3 申请日 2014-12-22
授权公布号 CN105789179B 授权公告日 2019-01-11
申请人 华邦电子股份有限公司 
地址 中国台湾台中市大雅区科雅一路8号
发明人 陈佩瑜 欧阳自明 
分类号 H01L21/8242 H01L23/528 H01L21/768 H01L27/108  主分类号 H01L21/8242
国省代码 页数
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 华邦电子股份有限公司 
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