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提高产品电磁兼容性的工艺措施
军用电子装备
电磁兼容
制造工艺
通信系统电磁兼容技术探讨
电磁干扰
电磁兼容性
接地干扰
传导
辐射
基于JFET的高精度可程控放大电路设计
压控电阻
结型场效应管
高精度
程控
低噪声
新型无氰电镀工艺制备Au-Bi合金靶
无氰
脉冲电镀
Au-Bi合金
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 Bi—JFET兼容工艺的探讨
来源期刊 上海半导体 学科 工学
关键词 Bi-JFET 掺杂 离子注入 兼容工艺
年,卷(期) 1989,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 37-40
页数 4页 分类号 TN405
字数 语种
DOI
五维指标
传播情况
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1989(0)
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研究主题发展历程
节点文献
Bi-JFET
掺杂
离子注入
兼容工艺
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
上海微电子技术和应用
季刊
1006-9453
31-1239/TN
上海市胶州路397号 上海半导体器件研究
出版文献量(篇)
435
总下载数(次)
3
总被引数(次)
0
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