2CV3混频晶体大量反向击穿的原因

• 作者: 同增发
• 来源期刊: 上海航天
• 学科: 工学
• 关键词: 引信 导弹 混频晶体 静电屏蔽 击穿
• 年，卷（期）: shhtzyw_1990,（3）
• 页码范围: 59-61
• 页数: 3页
• 分类号: TJ431.6

摘要

对某型导弹引信混频晶体2CV_3反向电流测试原理的分析表明,大量2CV_3晶体反向击穿是由外来干扰信号所造成的,而外来干扰信号之所以能影响混频晶体,是由于4B-J引信测试台的三根测试电缆中所有屏蔽线的屏蔽网套没有与其相应插头(座)的1号接点(即机壳)相连接,造成测试时屏蔽网套不接地,屏蔽不起作用,各导线之间电信号相互干扰严重.外来干扰信号具有随机性,因而比较复杂.但是,只要引信测试台及其测试电缆中所有屏蔽线的屏蔽网套接地可靠,就可以避免2CV_3混频晶体大量反向击穿.最后,还提出了三项具体预防措施.

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