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Pd—MOSFET氢敏元件与周边电路集成化兼容性研究
Pd—MOSFET氢敏元件与周边电路集成化兼容性研究
作者:
滕学公
陆文兰
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
P^d-MOSFET
氢敏元件
周边电路
摘要:
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文献信息
篇名
Pd—MOSFET氢敏元件与周边电路集成化兼容性研究
来源期刊
上海半导体
学科
工学
关键词
P^d-MOSFET
氢敏元件
周边电路
年,卷(期)
1990,(2)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
15-17
页数
3页
分类号
TN386.1
字数
语种
DOI
五维指标
传播情况
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引文网络
引文网络
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1990(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
P^d-MOSFET
氢敏元件
周边电路
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
上海微电子技术和应用
主办单位:
出版周期:
季刊
ISSN:
1006-9453
CN:
31-1239/TN
开本:
出版地:
上海市胶州路397号 上海半导体器件研究
邮发代号:
创刊时间:
语种:
出版文献量(篇)
435
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3
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