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摘要:
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富氢气氛下CO选择性甲烷化反应行为及工艺条件
氢气
一氧化碳脱除
选择性甲烷化
工艺条件
燃料电池
提高复合反应选择性的措施
复合反应
选择性
H2对UHV/CVD低温选择性外延生长Si1-xGex的影响
选择性外延生长
UHV/CVD
Si1xGex
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 均匀的选择性外延生长的条件
来源期刊 江南半导体通讯 学科 工学
关键词 外延生长 温度 压力 反应炉 多晶硅
年,卷(期) 1992,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 52-58
页数 7页 分类号 TN304.054
字数 语种 中文
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研究主题发展历程
节点文献
外延生长
温度
压力
反应炉
多晶硅
研究起点
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
江南半导体通讯
双月刊
江苏省无锡市105信箱微电子技术编辑部
出版文献量(篇)
141
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