H2对UHV/CVD低温选择性外延生长Si1-xGex的影响

• 作者: 刘国军 叶志镇 吴贵斌 唐九耀 赵星 赵炳辉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 选择性外延生长 UHV/CVD Si1xGex
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 78-81
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.120
• 字数: 2886字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.01.016

摘要

利用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)成功实现了Si1-xGex的低温选择性外延生长,并研究了H2对选择性外延生长的影响及其作用机理.以SiH4和GeH4为反应气源,在开有6mm×6mm窗口氧化硅片上进行Si1-xGex外延层的生长.首先分别以不含H2(纯GeH4)和含H2(90%H2稀释的GeH4)的两种Ge源进行选择性外延生长.通过SEM观察两种情况下氧化硅片表面,发现H2的存在对选择性外延生长有至关重要的作用.接着以90%H2稀释的GeH4为Ge源,变化Si源和Ge源的流量比改变H2分压,以获得SiH4和GeH4(90%H2)的最佳流量比,使外延生长的选择性达到最好.利用SEM观察在不同流量比时,经40min外延生长后各样品的表面形貌,并对其进行比较,分析了H2分压在Si1-xGex选择性外延生长中的作用机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
3	唐九耀	浙江大学光学仪器工程中心	16	198	7.0	14.0
4	吴贵斌	浙江大学硅材料国家重点实验室	11	70	4.0	8.0
5	赵星	浙江大学硅材料国家重点实验室	10	116	4.0	10.0
6	刘国军	浙江大学硅材料国家重点实验室	9	39	3.0	6.0