弛豫SiGe外延层的UHV/CVD生长

• 作者: 刘安生 刘志农 林小峰 林惠旺 罗广礼 钱佩信 陈培毅
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 外延层 UHV/CVD SiGe
• 年，卷（期）: 2000,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 682-685
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2161字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.07.011

摘要

利用自制的冷壁石英腔UHV/CVD设备,600℃条件下,通过Ge组分渐变缓冲层技术,在Si(100)衬底上成功地生长出完全弛豫、无穿透位错的Si0.38Ge0.17外延层,并在其上获得了具有张应变的Si盖帽层.另外,还在550℃下生长了同样结构的样品,发现此样品厚度明显变薄,组分渐变层的应变释放不完全,位错网稀疏而且不均匀,其上的Si0.83Ge0.17外延层具有明显的穿透位错.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈培毅	清华大学微电子研究所	52	245	10.0	12.0
2	刘安生		30	133	6.0	10.0
3	林惠旺	清华大学微电子研究所	18	150	8.0	11.0
4	钱佩信	清华大学微电子研究所	29	158	7.0	11.0
5	刘志农	清华大学微电子研究所	8	63	5.0	7.0
6	罗广礼	清华大学微电子研究所	8	57	5.0	7.0
7	林小峰	清华大学微电子研究所	1	11	1.0	1.0