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半导体学报(英文版)2002年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
总被引数（次）
35317
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 利用变温霍尔和电流-电压特性(I-V)两种方法分别对半导体和半绝缘的退火非掺磷化铟材料进行了测量.在非掺退火后的半导体磷化铟样品中可以测到缺陷带电导,这与自由电子浓度较低、有一定补偿度的原生...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 通过在硅(100)衬底上淀积的Co(3nm)/Ti(1nm)双金属层在不同退火温度下的固相反应,在硅衬底上制备了超薄外延CoSi2薄膜.在低温下,用弹道电子显微术(BEEM)及其谱线(BEE...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 报道了用新的正向栅控二极管技术分离热载流子应力诱生的SOI-MOSFET界面陷阱和界面电荷的理论和实验研究.理论分析表明:由于正向栅控二极管界面态R-G电流峰的特征,该峰的幅度正比于热载流子...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 报道了一种采用UHV/CVD锗硅工艺和CMOS工艺流程在SOI衬底上制作的横向叉指状Si0.7Ge0.3/Si p-i-n光电探测器.测试结果表明:其工作波长范围为0.7～1.1μm,在峰值...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 根据光伏方法研究的半导体表面气体分子吸附机理,提出了硅单晶表面态真空敏感效应的机理模型,解释了表面态敏感型的真空传感器的各有关观测结果.因此可以确认,硅单晶表面态对真空敏感的实质原因就是由于...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 利用低能双离子束外延技术,在400℃条件下生长样品(Ga,Mn,As)/GaAs.样品光致发光谱出现三个峰,即1.5042eV处的GaAs激子峰、1.4875eV处的弱碳峰和低能侧的一宽发光...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 以铁电体Pb(Zr0.53Ti0.47)O3取代传统绝缘栅氧化物制备了GaN基金属-绝缘层-半导体(MIS)结构.由于铁电体具有较强的极化电场和高介电常数,GaN基金属-铁电体-半导体(MF...
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8. 钝化多孔硅的光致发光刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 选用含有胺基的正丁胺(CH3CH2CH2CH2-NH2)作碳源,采用射频辉光放电法制备碳膜对多孔硅进行碳膜钝化,其光致发光谱和存放实验表明:正丁胺对多孔硅进行钝化是一种十分有效的多孔硅后处理...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 通过阳极氧化电化学方法制备了多孔硅,并在室温下对不同条件下制得的多孔硅光致发光谱(PL谱)进行系统的分析.结果表明,随着阳极电流密度、阳极化溶液浓度和时间的增大,多孔硅的PL谱峰将发生"蓝移...
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10. 单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 对NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火,采用Hall电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律.利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 研究了空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量1×109～5×1013cm-2的变化.实验表明,两种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势.背场Si太阳电池...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 对高温退火非掺磷化铟(InP)制备的半绝缘晶片的电学性质和均匀性进行了研究.非掺低阻N型磷化铟晶片分别在纯磷气氛和磷化铁气氛下进行930℃、80h退火均可获得半绝缘材料.但在这两种条件下制备...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 在国产分子束外延设备的基础上,利用新型阀控裂解As源炉,对As2和As4的生长特性进行了全面的研究.以As2和As4两种模式,在(001)InP衬底上生长了高质量的InAsP体材料和InAs...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 通过直接栅电流测量方法研究了热载流子退化和高栅压退火过程中PMOSFET's热载流子损伤的生长规律.由此,给出了热载流子引起PMOSFET's器件参数退化的准确物理解释.并证明了直接栅电流测...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 研究了沟道热载流子效应引起的SOI NMOSFET's的退化.在中栅压应力(Vg≈Vd/2)条件下,器件退化表现出单一的幂律规律;而在低栅压应力(Vgs≈Vth)下,由于寄生双极晶体管(PB...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 给出一种利用FN隧穿电流振荡来估计金属-氧化物-半导体场效应管的界面宽度的方法,数值计算的结果表明该方法可以精确而且方便地估计界面宽度,用这种方法估计得到的界面宽度在0.3nm左右.
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17. 不同工艺超薄栅氧化层的抗击穿特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 对注F、注N以及先注N后注F超薄栅氧化层的击穿特性进行了实验研究,实验结果表明,在栅介质中引入适量的F或N都可以明显地提高栅介质的抗击穿能力.分析研究表明,栅氧化层的击穿主要是由于正电荷的积...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 根据阵列波导光栅(AWG)的结构特点,提出了一种基于光传播算法的AWG简化数值模型.利用简化数值模型研究了4×4 AWG的光传输特性,计算得到的基本参数与设计完全符合,归一化光谱响应与实验结...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 给出了垂直腔面发射激光器的小信号电路模型和调制特性,调制特性用解析计算和电路模型模拟两种方法得到,解析计算和电路模型模拟的结果一致,实验证实了电路模型的正确性.
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20. 聚合物热光相移器件的研究及其应用刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 利用聚合物材料研制出热光Mach-Zehnder(MZ)型干涉调制器,单位相移为1.53π/(cm·℃),产生π相移所需功率为12mW.热光开关的响应时间为1.2ms,消光比为16dB,接近...
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21. 纳电子器件谐振隧道二极管的研制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 采用分子束外延方法在砷化镓衬底上生长了双垒单阱结构,然后用常规半导体器件工艺制成了谐振隧穿二极管(RTD),有相当好的I-V特性.对于5μm×5μm的RTD器件,在室温条件下,测得其峰谷比最...
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22. 应用遗传算法实现MOS器件综合刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 研究了将遗传算法应用于器件综合问题,针对参数化的器件空间设计了相应的适应度函数和遗传算子,可用来得到器件的可行设计空间及研究参数对器件性能的影响.对FIBMOS器件的综合设计研究结果显示了本...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 在IC的制造过程中,由于工艺的随机扰动,过刻蚀和欠刻蚀造成了导线条的宽度和线间距的变化.论文在分析过刻蚀和欠刻蚀对IC版图影响的基础上,提出了基于工艺偏差影响的IC关键面积计算新模型和实现方...
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24. 一种新的无网格拆线重布算法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 结合无网格布线的特点,提出一种新的无网格拆线重布算法.该算法显式地表示并动态更新线网所属区域的拥挤程度.在拆线重布进行待布线网的路径搜索时,每个扩展节点中增加拆除线网周边的拥挤权重,从而将待...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 报道了分别用三带和全带模型蒙特卡罗方法模拟纤锌矿相GaN体材料输运特性的结果,并对基于两种模型的模拟结果进行了比较.在低场区,基于两种模型获得的输运特性基本相同,但在高场区却表现出明显的差别...
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26. 立方相GaN的高温MOCVD生长刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 利用MOCVD技术在提高生长温度(900℃)下生长出了高质量的立方相GaN,生长速度提高到1.6μm/h.高温生长的GaN样品近带边峰室温光荧光半高宽为48meV,小于在830℃下生长的Ga...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 研究了低栅电压范围的热载流子统一退化模型.发现对于厚氧化层的p-MOSFETs主要退化机制随应力电压变化而变化,随着栅电压降低,退化机制由氧化层俘获向界面态产生转变,而薄氧化层没有这种情况,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 提出了一种产生2.4GHz正交本地振荡信号的方法.它将LC-VCO和两级环路振荡器两种结构组合起来以实现正交输出的低相位噪声压控振荡器.LC网络是由在片对称螺旋型电感和差分二极管组成的.详细...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 设计实现了一个高效的线长模式下基于多处理机的并行总体布线器.通过对非时延驱动模式下串、并行算法的总运行时间和求解时间的比较,表明该并行算法能够在保证求解质量无明显变化的前提下大大加快总体布线...
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30. 铟镓氮薄膜的光电特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 用金属有机物气相外延设备,在氮化镓/蓝宝石复合衬底上快速外延生长铟镓氮薄膜,并对其进行了X射线三晶衍射、光致发光、反射光谱及霍尔测量等实验测试.确定该薄膜为单晶,其中In组分可以从0增加到0...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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