立方相GaN的高温MOCVD生长

• 作者: 付羿 冯志宏 孙元平 李顺峰 杨辉 段俐宏 沈晓明 王海
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 立方相 GaN MOCVD
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 120-123
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 720字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.02.002

摘要

利用MOCVD技术在提高生长温度(900℃)下生长出了高质量的立方相GaN,生长速度提高到1.6μm/h.高温生长的GaN样品近带边峰室温光荧光半高宽为48meV,小于在830℃下生长的GaN样品.在ω扫描模式下,X射线衍射表明高温生长的GaN具有较小的(002)峰半高宽21′.可以看出,尽管立方GaN是亚稳态,高生长温度仍然有利于其晶体质量的提高.本文对GaN生长中生长温度和生长速度之间的关系作了讨论.