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半导体学报(英文版)2001年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
总被引数（次）
35317
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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8
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年1期页码:摘要： 模拟电路的性能紧密依赖于版图的寄生参数和匹配特性．提出了用以描述分布式的寄生电容和由于工艺梯度变化而产生的寄生参数不匹配以及STACK内连线的不匹配的模型．基于该模型，一种新的STACK生成...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年1期页码:摘要： 应用Harrison模型和各向异性抛物带近似理论计算了In1－x－yGaｙAlｘAs压缩应变量子阱的能带结构．为设计1.55μm发射波长的激光器，对可能组分范围内材料的阱宽、微分增益、透明载...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年1期页码:摘要： 使用半导体器件数值分析工具DESSISE-ISE，对侧向的P＋P－N＋栅控二极管的正向R-G电流对SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性进行了详尽的研究．通过系统地改变硅膜体陷阱的密度和能级分布...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年1期页码:摘要： 研究了沟长从0.525μm到1.025μm 9nm厚的P-MOSFETs在关态应力(Vgs＝0，Vds＜0)下的热载流子效应．讨论了开态和关态应力．结果发现由于在漏端附近存在电荷注入，关态漏...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年1期页码:摘要： 研究了离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的GaNAs／GaAs和GaInNAs／GaAs量子阱的影响．研究表明离子损伤是影响GaNAs和GaInNAs量子阱质量的关键因素．去离子磁场能有效...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年1期页码:摘要： 使用四圆衍射仪和双晶衍射技术，分析了SiC体单晶的结构和极性．SiC单晶体由化学气相淀积法获得．六方｛1015｝极图证明了该单晶结构为6H型．三轴晶衍射中的ω模式衍射强度的差异判定了该单晶的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年1期页码:摘要： 报道了气态分子束外延(GSMBE)生长1.8—2.0μm波段InGaAs/InGaAsP应变量子阱激光器的研究结果．1.8μm波段采用平面电极条形结构，已制备成功10μm和80μm条宽器件，...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年1期页码:摘要： 对一种CMOS/SOI 64Kb静态随机存储器进行了研究，其电路采用8K×8的并行结构体系．为了提高电路的速度，采用地址转换监控(Address-Translate-Detector，ATD...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年1期页码:摘要： 研究了Si1-x-yGexCy三元系材料的应变补偿特性，分析了固相外延方法制备的样品中注入离子的分布对应变补偿效果的影响，指出由于Ge和C的投影射程及标准偏差不同，二者在各处的组分比并不恒...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年1期页码:摘要： 报道了镍诱导非晶硅薄膜的晶化技术，探讨了镍诱导晶化机理．详细调查了诱导晶化时间和温度对晶化速率的影响，并用Raman、AFM和TEM等测试了材料的特性．实验结果发现用该方法可以获得较大晶粒的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年1期页码:摘要： 利用金属诱导晶化（Metal Induced Crystallization,MIC）的方法研究了a-Si/Ni的低温晶化，MIC晶化温度能降低到440℃.采用XRD、Raman、SEM、X...
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12. 宽带隙立方氮化硼薄膜制备刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年1期页码:摘要： 报道了用偏压调制射频溅射方法制备宽带隙立方氮化硼(c-BN)薄膜的实验结果.研究了衬底负偏压对制备c-BN薄膜的影响.c-BN薄膜沉积在p型Si(100)衬底上，溅射靶为六角氮化硼（h-BN...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年1期页码:摘要： FLASH在擦操作的过程中，带带隧穿产生的空穴注入将会在SiO2/SiO2界面和氧化层中产生带电中心(包括界面态和陷阱)，影响电路的可靠性.利用电荷泵方法，通过应力前后电荷泵电流的改变确定出...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年1期页码:摘要： 建立了PNP型异质结双极晶体管基区少数载流子浓度的解析模型.理论分析了发射极-基极-发射极布局的PNP型HBT的电流增益.讨论了不同基极电流成分，如外基区表面复合电流，基极接触处的界面复合电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年1期页码:摘要： 微波集成电路和微波器件的设计需要准确地提取HFET的小信号等效电路模型参数.采用带回火的模拟退火算法从S参数提取HFET小信号等效电路模型参数，得到了高质量的解.计算结果是全局最优解，摆脱了...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年1期页码:摘要： 在模拟计算以a-Si TFT为有源开关，以a-Si PIN为光敏源的有源成像器件工作特性与各单元元件关系的基础上，详细讨论了单元器件的材料、物理参数对a-Si TFT/PIN耦合对特性的影响...
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17. 32位定/浮点乘法器设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年1期页码:摘要： 针对Wallace树连接线复杂度高，版图实现比较困难的缺点，提出了一种新的加法器阵列结构.这种结构在规则性和连接复杂度方面优于ZM树和OS树.同时提出一种新的CLA加法器结构以提高乘法器的性...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年1期页码:摘要： 针对标准单元模式超大规模集成电路增量式布局问题,提出了一个全新的增量布局算法ECOP.该算法一改以往布局算法中以单元为中心的做法，变为以单元行为中心，围绕单元行来进行单元的插入，移动以及各种...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年1期页码:摘要： 对集成电路针孔缺陷引起功能成品率下降的模型进行了研究，给出了分析和仿真针孔功能成品率的两种计算方法——Monte-Carlo方法和关键面积提取方法，这对集成电路成品率设计和分析是非常重要的.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年1期页码:摘要： 采用实验方法，确定了倒装焊SnPb焊点的热循环寿命．采用粘塑性和粘弹性材料模式描述了SnPb焊料和底充胶的力学行为，用有限元方法模拟了SnPb焊点在热循环条件下的应力应变过程．基于计算的塑性...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 讨论了谐振腔中的DBR对InGaAs／GaAs多量子阱SEED面阵光反射特性的影响．采用InGaAs／GaAs作为多量子阱SEED器件的有源区，从而获得了980nm工作波长．设计和分析了In...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 采用时域有限差分和Padé近似计算了等边三角形、正方形和平行四边形微谐振腔的模式频率和品质因子．数值结果表明等边三角形谐振腔中的谐振模式具有较高的品质因子，这主要是由于等边三角形谐振腔中的模...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 提出在SOI p-MOSFET中采用GeSi源／漏结构，以抑制短沟道效应．研究了在源、漏或源与漏同时采用GeSi材料对阈值电压漂移、漏致势垒降低(DIBL)效应的影响，并讨论了Ge含量及硅膜...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 报道了GSMBE方法生长波长1.84μm的InGaAs/InGaAsP/InP应变量子阱激光器．40μm条宽、800μm腔长的平面电极条形结构器件，室温下以脉冲方式激射，20℃下阈值电流密度...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 制备了一种全部以聚合物为波导材料的电光调制器，其中芯层为新型可交联极化聚胺脂电光功能材料．旋涂制备波导薄膜、电晕极化产生非线性、光刻和氧反应离子刻蚀完成脊波导为主要的工艺步骤。1.3μm光源...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 首次在国内成功地制作了栅长为70nm的高性能CMOS器件．为了抑制70nm器件的短沟道效应同时提高它的驱动能力，采用了一些新的关键工艺技术，包括3nm的氮化栅氧化介质，多晶硅双栅电极，采用重...
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27. 直接键合硅片界面键合能的理论分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 直接键合硅片界面的键合能依赖于界面成键的密度，是退火温度和时间的函数，界面反应激活能决定着成键的行为．硅片键合能随退火温度分两步增加，这种现象被归因于界面反应存在两种不同的激活能．将硅本征氧...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 应用光致发光(PL)、电容-电压(C-V)、深能级瞬态谱(DLTS)和光电导(PC)技术系统研究Al掺杂ZnS1-xTex中与Al有关的类DX中心．实验结果表明，ZnS1-xTex中存在与Ⅲ...
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29. 聚焦离子束刻蚀性能的研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 对聚焦离子束（FIB）的基本刻蚀性能进行了实验和研究．通过扫描电镜对FIB刻蚀坑的观测，给出了在不同材料上（硅、铝和二氧化硅）FIB的刻蚀速率及刻蚀坑的形貌同离子束流大小的关系．由于不同材料...
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30. 薄栅氧化层相关击穿电荷刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 栅氧化层厚度的减薄要求深入研究薄栅介质的击穿和退化之间的关系.利用衬底热空穴注入技术分别控制注入到薄栅氧化层中的热电子和空穴量，对相关击穿电荷进行了测试和研究.结果表明薄栅氧化层击穿的限制因...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
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| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
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期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
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