聚焦离子束刻蚀性能的研究

• 作者: 唐雷钧 宗祥福 江素华 王家楫 谢进
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 聚焦离子束 集成电路 刻蚀 溅射
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 151-155
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 3012字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.02.009

摘要

对聚焦离子束（FIB）的基本刻蚀性能进行了实验和研究．通过扫描电镜对FIB刻蚀坑的观测，给出了在不同材料上（硅、铝和二氧化硅）FIB的刻蚀速率及刻蚀坑的形貌同离子束流大小的关系．由于不同材料的原子结合能、原子量及晶体结构等因素对离子束溅射产额的影响，从而影响着离子束的刻蚀速率；随着离子束流的增大，刻蚀速率并非线性增加，且刻蚀坑的形貌越来越不均匀，对此也作了系统的分析和探讨．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王家楫	复旦大学国家微分析中心	25	114	6.0	9.0
2	江素华	复旦大学国家微分析中心	13	50	3.0	7.0
3	宗祥福	复旦大学国家微分析中心	39	315	11.0	16.0
4	谢进	复旦大学国家微分析中心	7	73	5.0	7.0
5	唐雷钧	复旦大学国家微分析中心	2	23	1.0	2.0