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半导体学报(英文版)期刊

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半导体学报(英文版)

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Journal of Semiconductors

曾用名：半导体学报

CA CSCD JST AJ SA CSTPCD

影响因子 0.2430

本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。

主办单位：

中国电子学会和中国科学院半导体研究所

期刊荣誉：

中科院优秀期刊二等奖（90） 全国优秀期刊三等奖（92） 全国优秀期刊三等奖（97）

ISSN：

1674-4926

CN：

11-5781/TN

出版周期：

月刊

邮编：

100083

地址：

北京912信箱

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目录

1. An analytic model to describe the relationship between conductance and frequency of heterojunction

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2015年1期

页码: 1-5

摘要：
2. Thermionic emission theory and diffusion theory applied to CdTe PV devices

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2015年1期

页码: 6-10

摘要：
3. First-principles study on electronic structure and conductivity of Sn-doped Ga1.375In0.625O3

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2015年1期

页码: 11-16

摘要：
4. The calculation of band gap energy in zinc oxide films

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2015年1期

页码: 17-22

摘要：
5. Structural, optical and electrical properties of zinc oxide thin films deposited by a spray pyrolysis technique

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2015年1期

页码: 23-27

摘要：
6. Effect of defects on the electronic properties of WS2 armchair nanoribbon

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2015年1期

页码: 28-31

摘要：
7. Preparation and thermal-sensitive characteristic of copper doped n-type silicon material

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2015年1期

页码: 32-35

摘要：
8. Redistribution of carbon atoms in Pt substrate for high quality monolayer graphene synthesis

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2015年1期

页码: 36-41

摘要：
9. Influence of N-type doping on the oxidation rate in n-type 6H-SiC

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2015年1期

页码: 42-46

摘要：
10. Numerical simulation of the effect of gold doping on the resistance to neutron irradiation of silicon diodes

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2015年1期

页码: 47-51

摘要：
11. Computer modelling and analysis of the photodegradation effect in a-Si:H p-i-n solar cell

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2015年1期

页码: 52-59

摘要：
12. Performance analysis of InSb based QWFET for ultra high speed applications

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2015年1期

页码: 60-63

摘要：
13. An improved analytical model of 4H-SiC MESFET incorporating bulk and interface trapping effects

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2015年1期

页码: 64-75

摘要：
14. Insights into channel potentials and electron quasi-Fermi potentials for DG tunnel FETs

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2015年1期

页码: 76-81

摘要：
15. Effect of phosphorus ion implantation on back gate effect of partially depleted SOI NMOS under total dose radiation

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2015年1期

页码: 82-85

摘要：
16. Characterization of positive bias temperature instability of NMOSFET with high-k/metal gate last process

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2015年1期

页码: 86-89

摘要：
17. GaN HEMT with AlGaN back barrier for high power MMIC switch application

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2015年1期

页码: 90-94

摘要：
18. An improved trench gate super-junction IGBT with double emitter

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2015年1期

页码: 95-100

摘要：
19. Performance enhancement of c-CESL-strained 95-nm-gate NMOSFET using trench-based structure

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2015年1期

页码: 101-104

摘要：
20. Voltage reduction of 808 nm GaAsP/(Al)GaInP laser diodes with GaInAsP intermediate layer

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2015年1期

页码: 105-107

摘要：
21. A novel lateral cavity surface emitting laser with top sub-wavelength grating

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2015年1期

页码: 108-112

摘要：
22. All-optical NRZ wavelength conversion using a Sagnac loop with optimized SOA characteristics

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2015年1期

页码: 113-119

摘要：
23. A novel SOI pressure sensor for high temperature application

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2015年1期

页码: 120-124

摘要：
24. A 0.8-4.2 GHz monolithic all-digital PLL based frequency synthesizer for wireless communications

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2015年1期

页码: 125-139

摘要：
25. A 9-12 GHz 5-bit active LO phase shifter with a new vector sum method

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2015年1期

页码: 140-149

摘要：
26. A 3 Gb/s multichannel transceiver in 65 nm CMOS technology

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2015年1期

页码: 150-157

摘要：
27. High accuracy digital aging monitor based on PLL-VCO circuit

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2015年1期

页码: 158-162

摘要：
28. Effect of H2O2 and nonionic surfactant in alkaline copper slurry

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2015年1期

页码: 163-167

摘要：
29. Next generation barrier CMP slurry with novel weakly alkaline chelating agent

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2015年1期

页码: 168-172

摘要：
30. Monte-Carlo simulation studies of the effect of temperature and diameter variation on spin transport in Ⅱ-Ⅵ semiconductor nanowires

作者：

刊名：半导体学报(英文版)

发表期刊： 2015年2期

页码: 1-5

摘要：

半导体学报(英文版)基本信息

刊名	半导体学报(英文版)	主编	王守武
曾用名	半导体学报
主办单位	中国电子学会和中国科学院半导体研究所	主管单位	中国科学院
出版周期	月刊	语种	eng
ISSN	1674-4926	CN	11-5781/TN
邮编	100083	电子邮箱	jos@semi.ac.cn
电话	010-82304277	网址	www.jos.ac.cn
地址	北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录

1.	化学文摘(美)
2.	中国科学引文数据库
3.	日本科学技术振兴机构数据库(日)
4.	文摘杂志(俄)
5.	科学文摘(英)
6.	中国科技论文统计与引文分析数据库

期刊荣誉

1.	中科院优秀期刊二等奖（90）
2.	全国优秀期刊三等奖（92）
3.	全国优秀期刊三等奖（97）

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