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半导体学报(英文版)2008年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
总被引数（次）
35317
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 本文描述双极场引晶体管(BiFET)短沟道理论.晶体管分成两个区域,源区和漏区.每区在特定外加端电压下既可为电子或空穴发射区又可为电子或空穴收集区.把两维无缺陷Shockley方程分离为两个...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 采用二乙基锌(DEZn)和水(H2O)作为生长源,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法,在100～400℃低温范围内,在GaAs(001)衬底上制备了ZnO薄膜.利用X射线衍射(XR...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 通过结合发光显微镜(EMMI)测试和poly-edge电容测试结构很好地控制了多晶硅刻蚀时间,避免了栅极氧化膜的早期失效.从栅极氧化膜击穿电压的测试结果可以看出,当刻蚀时间较短时,一个晶圆内...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 第一次报道了以高温AlN为模板层的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器的制作和器件特性.利用MOCVD方法在(0001)面的蓝宝石衬底上生长了探测器的AlxGa1-xN多层外延材料.在无...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 介绍了一个带曲率补偿的低电压带隙基准源.由于采用电流模结构,带隙基准源的最低电源电压为900mV.通过VEB线性化补偿技术,带隙基准源在0到150℃的温度范围内的温度系数为10ppm/℃.在...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 用MOCVD技术生长GaN:Mg外延膜,在550～950℃温度范围内,对样品进行热退火,并进行室温Hall、光致发光谱(PL)测试.Hall测试结果表明,850℃退火后空穴浓度达到8×101...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 将8-hydroxy-quinolinato lithium(Liq)掺入4'7-diphyenyl-1,10-phenanthroline(BPhen)作为n型电子传输层(ETL),将te...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 报道了共振隧穿二极管(RTD)在压力下的弛豫振荡特性.采用Pspice 8.0软件仿真并设计了振荡电路,测得其振荡频率达200kHz.在(100)半绝缘(SI)GaAs衬底上利用分子束外延(...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 提出了一个全耗尽SOI MOSFETs器件阈值电压和电势分布的温度模型.基于近似的抛物线电势分布模型,利用适当的边界条件对二维的泊松方程进行求解.同时利用阈值电压的定义得到了阈值电压的模型....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 采用共沉积技术制备了AgTCNQ薄膜,并进行了红外、紫外光谱表征.利用微电子工艺制备了基于AgTCNQ薄膜的有机双稳态器件.研究发现,Ti/AgTCNQ/Au双稳态器件具有可逆、可重复的开关...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 研究了一种用于边入射型探测器的InP基高效光纤-波导耦合器.它由10个周期的未掺杂120nm InP/80nm InGaAsP(1.05μm带隙)多层膜组成的稀释波导构成.采用半矢量三维束传...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 提出了一种基于准MMIC技术的Ku波段宽带压控振荡器.该电路采用MMIC芯片和外加高Q值的超突变结变容管的方式,实现了覆盖整个Ku波段的超宽带的振荡信号输出.通过将MMIC技术与混合集成技术...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 提出了一种低功耗真随机数发生器,它基于简单的伯努利移位混沌映射,并通过对映射进行特殊扩展来保证在实际实现中保持鲁棒性.映射由开关电流技术实现,从而使其可以完全嵌入到片上密码系统中.采用流水线...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 提出了一种适用于高速、单级低分辨率流水线结构ADC的全差分动态比较器.由于采用了电流源耦合和差分对输入结构,比较器的翻转阈值电压可以设计为任意值.与传统的比较器相比,该比较器较好地兼顾了面积...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 提出了一种新的表征亚阈值电路镜电路中CMOS工艺波动的方法.与现有的统计学方法相比,该方法在理论上和计算复杂度上相对简洁,但对亚阈值电流镜电路中的CMOS工艺波动做出了准确的评估.此模型利用...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 用简单的鉴频鉴相器结构实现了一个快锁定低抖动的锁相环.鉴频鉴相器仅仅由两个异或门组成,它可以同时获得低抖动和快锁定的性能.锁相环中的电压控制振荡器由四级环形振荡器来实现,每级单元电路工作在相...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 介绍了一种面向384×288 CMOS面阵性红外读出电路的低功耗设计.针对探测器的特点(输出阻抗约100kΩ,积分电流约100nA),新提出并实现了一种四像素共用BDI的QSBDI(Quad...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 针对低成本、低功耗无源射频电子标签,采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺设计实现了单栅、576bit的非挥发性存储器.存储器单元基于双向Fowler-Nordheim隧穿效应原理并采用...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 针对快速热退火引起的N最近邻原子环境的变化,建立了热平衡态下Ga1-xInxNyAs1-y合金中各二元化合键的统计分布模型.并将理论计算得到的N周围平均In原子数r引入到BAC经验模型中,对...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 采用有限深对称方势阱近似模型求解薛定谔方程得到Ge/Si量子阱中的子能级分布,并基于迭代法数值求解泊松方程模拟计算了量子阱结构样品在不同偏压下的载流子浓度分布和C-V特性.C-V曲线上电容平...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 用激光辐照硅样品和硅锗合金样品能够形成多种氧化低维纳米结构,可以用激光与半导体相互作用产生的等离子体波模型来解释这些结构的形成机理.其中,在单晶硅上形成的网孔壁结构有很强的706nm波长的光...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 采取从某一温度(600～1000℃)开始缓慢升温至高温(1150℃)并保温若干时间的方法,使得直拉Si片中大于起始温度对应的氧沉淀临界尺寸的那一部分原生氧沉淀得以长大,然后通过傅里叶红外光谱...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 利用低压金属有机物化学气相沉积技术,采用均匀掺杂和渐变Mg-δ掺杂方法,分别在氮化镓(GaN)和高温氮化铝(HT-AlN)模板上,生长了p型GaN外延材料.生长后,双晶X射线衍射和霍尔测试结...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 在用近空间升华法制备CdTe多晶薄膜时,由于CdTe源在有O2的环境下多次使用,造成了源表面氧化,进而失效,严重影响所沉积的CdTe多晶薄膜性能.文中研究了多次使用后CdTe源结构形貌、成分...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 采用双沟道结构和GaAs衬底,成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管.它具有RSTT典型的"A"形负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区.通过栅压可改变各种负阻参数值,当栅压从0.6V增至1.0...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 研究了一种金属/有机物/金属夹层结构有机薄膜器件的可逆电双稳特性.器件的阳极和阴极分别为真空热蒸发沉积的Ag和Al薄膜,中间介质层为真空热蒸发沉积的2-(hexahydropyrimidin...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 介绍了溶液法金属诱导晶化的p型掺杂多晶硅薄膜(p+-poly-Si)的制备,并研究了它的电学特性和光学特性.由于p+-MIC poly-Si薄膜具有比较好的电学特性,且在红光区域具有比较高的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 采用10keV X射线研究了部分耗尽SOI MOSFETs的总剂量辐射效应.实验结果显示,在整个辐射剂量范围内,前栅特性保持良好;而nMOSFET和pMOSFET的背栅对数Id-Vg2曲线中...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 通过溅射的方法制作了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管并测试了该器件对氢气的响应.研究了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管在25和100℃时对于10%H2(N2气中)的响应,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年1期页码:摘要： MEMS器件的封装效应显著而复杂,其中由贴片封装引起的结构热失配是封装效应的主要成因.论文在前期封装-器件耦合行为模型的基础上,利用激光多普勒测振仪实验验证了贴片工艺的热致封装效应对固支梁器...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
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| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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