300mm掺氮直拉硅片的原生氧沉淀径向分布

• 作者: 曾俞衡 杨德仁 田达晰 阙端麟 马向阳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 300mm掺N直拉Si片 原生氧沉淀 径向分布
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 123-127
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 4451字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.01.022

摘要

采取从某一温度(600～1000℃)开始缓慢升温至高温(1150℃)并保温若干时间的方法,使得直拉Si片中大于起始温度对应的氧沉淀临界尺寸的那一部分原生氧沉淀得以长大,然后通过傅里叶红外光谱测量氧浓度变化以及利用扫描红外显微术测量氧沉淀密度.通过这样的方法,定性地研究了300mm掺N直拉Si片的原生氧沉淀的径向分布.研究表明:氧沉淀异常区域(称为P区)的原生氧沉淀密度显著高于空位型缺陷区域(称为V区);此外,V区中的原生氧沉淀的尺寸分布是不连续的,表现为高温下形成的大尺寸原生氧沉淀和低温下形成的小尺寸氧沉淀,而P区中的原生氧沉淀的尺寸分布则是连续的.我们从直拉Si晶体生长过程中原生氧沉淀的形成机制出发,对上述结果做了定性的解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	阙端麟	浙江大学硅材料国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
4	曾俞衡	浙江大学硅材料国家重点实验室	3	11	2.0	3.0
5	田达晰	浙江大学硅材料国家重点实验室	6	31	3.0	5.0