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摘要:
讨论了300mm硅单晶的工艺控制,分析了拉晶工艺、热屏及磁场对晶体质量的影响。合理的工艺参数是拉制无位错单晶的前提,热屏和磁场的应用有效地控制了晶体的氧含量和微缺陷。
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 300mm硅单晶的生长技术
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 300mm 硅单晶 热屏 磁场
年,卷(期) 2001,(3) 所属期刊栏目 技术进展
研究方向 页码范围 383-386
页数 4页 分类号 TN304
字数 1902字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.03.028
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 屠海令 42 224 8.0 12.0
2 周旗钢 35 176 8.0 12.0
3 吴志强 6 40 3.0 6.0
4 常青 7 29 3.0 5.0
5 张果虎 5 26 3.0 5.0
6 方锋 4 11 2.0 3.0
7 秦福 2 2 1.0 1.0
传播情况
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2001(0)
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研究主题发展历程
节点文献
300mm
硅单晶
热屏
磁场
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
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