半导体学报(英文版)期刊
出版文献量(篇)
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名: 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办,中国科学院半导体研究所承办的学术刊物,报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展,被EI、CA、SA等收录,在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有:研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉:
中科院优秀期刊二等奖(90)  全国优秀期刊三等奖(92)  全国优秀期刊三等奖(97) 
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
出版周期:
月刊
邮编:
100083
地址:
北京912信箱
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  • 作者: 康晋锋 王阳元
    被引次数: 105
    发表期刊: 年3期
    摘要: 从微电子集成电路技术发展的趋势,介绍了集成电路技术发展对光刻曝光技术的需求,综述了当前主流的DUV光学曝光技术和新一代曝光技术中的157nm光学曝光、13nm EUV曝光、电子束曝光、X射线...
  • 作者: 白雪冬 闻立时 陈猛 黄荣芳
    被引次数: 104
    发表期刊: 年4期
    摘要: 基于对锡掺杂三氧化铟(Sn-doped In2O3,简称ITO)和铝掺杂氧化锌(Al-doped ZnO,简称ZAO)薄膜退火前后XRD数据的分析,研究了薄膜晶格常数畸变的原因,同时讨论了I...
  • 作者: 康晋锋 王阳元
    被引次数: 96
    发表期刊: 年11期
    摘要: 半导体集成电路技术的发展对互连技术提出了新的需求,互连集成技术在近期和远期发展中将面临一系列技术和物理限制的挑战,其中Cu互连技术的发明是半导体集成电路技术领域中具有革命性的技术进展之一,也...
  • 作者: 叶志镇 吕建国 汪雷 赵炳辉 黄靖云
    被引次数: 85
    发表期刊: 年7期
    摘要: 研究了退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响.ZnO薄膜由直流反应磁控溅射技术制得,并在O2气氛中不同温度(200~1000℃)下退火,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和X射线光...
  • 作者: 孙以材 范志新 陈玖琳
    被引次数: 84
    发表期刊: 年11期
    摘要: 以铝掺杂氧化锌(A1-doped ZnO,简称AZO)和锡掺杂氧化铟(Sn-dopedIn2O3,简称ITO)薄膜为例,建立了一个氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量的理论表达式,定量计算...
  • 作者: 江金光 王耀南
    被引次数: 84
    发表期刊: 年7期
    摘要: 提出了一种高精度带隙基准电压源电路,通过补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流获得精确的镜像电流源.设计得到了在-20~+80℃温度范围内温度系数为3×10-6/℃和-85dB的电源电压抑制...
  • 作者: 叶强 李演明 来新泉 袁冰 贾新章
    被引次数: 84
    发表期刊: 年6期
    摘要: 提出了一种基于DAC(digital-to-analog converter)控制的数字软启动电路,利用DAC控制和软启动电压检测技术,有效抑制了DC-DC开关电源启动过程中产生的浪涌电流和...
  • 作者: 刘帘曦 朱樟明 朱磊 杨银堂
    被引次数: 78
    发表期刊: 年5期
    摘要: 采用一级温度补偿和电阻二次分压技术设计了一种高性能CMOS带隙电压基准源电路,其输出电压为0.20~1.25V,温度系数为2.5×10-5/K.该带隙电压基准源电路中的深度负反馈运算放大器为...
  • 作者: 张希成 张显斌 施卫 李孟霞 许景周 贾婉丽
    被引次数: 75
    发表期刊: 年12期
    摘要: 报道了用半绝缘GaAs材料研制的光电导偶极天线在飞秒激光脉冲触发下辐射THz电磁波的实验结果.GaAs光电导偶极芯片的两个欧姆接触电极间隙为3mm,采用Si3N4薄膜绝缘保护,在540V直流...
  • 作者: 刘恩科 李国政 罗晋生 贺朝会
    被引次数: 68
    发表期刊: 年2期
    摘要: 分析了影响CMOS SRAM单粒子翻转效应的时间因素,指出不能仅根据临界电荷来判断发生单粒子翻转效应与否,必须考虑器件的恢复时间、反馈时间和电荷收集过程.给出了恢复时间和反馈时间的计算方法,...
  • 作者: 叶强 李演明 来新泉 袁冰 陈富吉
    被引次数: 60
    发表期刊: 年2期
    摘要: 为了防止亚谐波振荡以及提高系统的稳定性和带载能力,设计了一种伞区间分段线性斜坡补偿电路.与传统的设计方法相比,该电路在-40~85℃下提供的补偿信号在不同的占空比区间内具有不同的斜率,对三个...
  • 作者: 刘坤 叶志镇 季振国 宋永梁 杨成兴 王超
    被引次数: 58
    发表期刊: 年1期
    摘要: 采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上使用旋转涂覆技术生长了ZnO薄膜.对薄膜的XRD分析表明ZnO薄膜为纤锌矿结构并沿c轴取向生长.透射光谱表明薄膜的禁带宽度为3.28eV,与ZnO体材料的禁带...
  • 作者: 吕建平 瞿保钧 谢荣才 邱龙臻
    被引次数: 53
    发表期刊: 年z1期
    摘要: 采用活性剂包覆的溶液沉淀法制备了不易团聚的纳米氢氧化镁粉体.经透射电镜表征,其形态是短轴方向尺寸为6~9nm,长轴方向尺寸为50~100nm的针状粒子.随着氢氧化镁粒径的减小,光致发光光强度...
  • 作者: 于敦山 沈绪榜
    被引次数: 51
    发表期刊: 年1期
    摘要: 针对Wallace树连接线复杂度高,版图实现比较困难的缺点,提出了一种新的加法器阵列结构.这种结构在规则性和连接复杂度方面优于ZM树和OS树.同时提出一种新的CLA加法器结构以提高乘法器的性...
  • 作者: 吴文刚 姜岩峰 杨振川 郝一龙 黄庆安
    被引次数: 51
    发表期刊: 年4期
    摘要: 针对硅在KOH中的各向异性腐蚀提出了一个新的物理模型.此模型从微观角度出发,根据实际的腐蚀化学反应过程确定了若干微观状态,提出了反映腐蚀特性的若干微观参数.将腐蚀温度、浓度等对腐蚀速率的影响...
  • 作者: 刘玉岭 张楷亮 李志国 王芳 韩党辉
    被引次数: 51
    发表期刊: 年1期
    摘要: 在分析ULSI中硅衬底CMP的动力学过程基础上,提出了在机械研磨去除产物过程中,适当增强化学作用可显著改善产物的质量传输过程,从而提高抛光效率.在对不同粒径分散度的硅溶胶抛光液进行比较后提出...
  • 作者: 李玉山 来新泉 王红义
    被引次数: 51
    发表期刊: 年8期
    摘要: 电流模PWM集成DC-DC变换器设计中,为了防止亚谐波振荡而普遍采用的斜坡补偿,会在占空比较大时严重影响芯片的带载能力.文中提出的方法减小了斜坡补偿对最大电感电流的影响,从而在大占空比时电感...
  • 作者: 张德恒 王卿璞 薛忠营
    被引次数: 50
    发表期刊: 年2期
    摘要: 用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶ZnO薄膜.在室温下进行光致发光测量,观察到明显的紫光发射(波长为402nm)和弱的紫外光发射 (波长为384nm).紫光发射源于氧空...
  • 作者: 叶强 李演明 来新泉 袁冰 贾新章
    被引次数: 49
    发表期刊: 年8期
    摘要: 针对电流模降压型DC-DC变换器,提出了一种新颖的CMOS片上电流采样电路.该电路结构简单,易于集成,功率损耗小,且通过MOSFET的匹配使采样比例几乎不受温度、模型以及电源电压变化影响.并...
  • 作者: 俞宏坤 王珺 肖斐 陆震 顾靖
    被引次数: 48
    发表期刊: 年6期
    摘要: 通过高温高湿加速实验对双芯片叠层封装器件的失效进行了研究,观察到存在塑封料与上层芯片、BT基板与塑封料或贴片胶的界面分层和下层芯片裂纹等失效模式.结合有限元分析对器件内热应力分布进行了计算模...
  • 作者: 徐永青 杨拥军 梁春广
    被引次数: 47
    发表期刊: 年12期
    摘要: 采用MEMS体硅工艺,制作了三种结构的微机械光开关:水平驱动2D(二维)光开关、垂直驱动2D光开关和扭摆驱动2D、3D(三维)光开关.水平驱动光开关采用单层体硅结构,另外两种光开关都采用了硅...
  • 作者: 施卫 田立强
    被引次数: 47
    发表期刊: 年6期
    摘要: 研究了在不同触发条件下半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性.当触发光能量和偏置电场不同时,半绝缘GaAs光电导开关的击穿损坏程度也不同,分别表现为完全击穿、不完全击穿和可恢复击穿三种类型.通过...
  • 作者: 胡传贤 金才政 陈少武 韩勤
    被引次数: 45
    发表期刊: 年12期
    摘要: 针对808nm大功率GaAs/GaAlAs半导体量子阱激光器的远场光场分布特点,提出了与多模光纤耦合时对耦合光学系统的特殊要求,并根据低成本、实用化的要求设计制作了专用的耦合光学系统,对耦合...
  • 作者: 冯士维 吕长志 孙静莹 张跃宗 李瑛 杨集 谢雪松
    被引次数: 44
    发表期刊: 年2期
    摘要: 通过电学测量方法得到了半导体功率发光二极管温升与热阻的加热响应曲线.曲线出现一个或多个台阶,反映了其内部的热阻构成与器件物理结构.同时采用遮光法对器件温升及热阻进行了修正.还应用瞬态加热响应...
  • 作者: 任丽 张福强 张雪峰 王立新
    被引次数: 44
    发表期刊: 年9期
    摘要: 采用化学氧化法制备了导电聚吡咯(PPy).运用SEM和TEM表征了PPy的形貌,利用四探针技术测试了材料的电导率,对影响其电导率的因素进行了讨论,并对其导电机理进行研究.结果表明,氧化剂用量...
  • 作者: Lai Xinquan Li Xianrui LI Yushan Wang Hongyi 李先锐 李玉山 来新泉 王红义
    被引次数: 43
    发表期刊: 年7期
    摘要: 提出了一种采用分段线性补偿的方法来实现高精度带隙基准,其基本原理是将整个温度区间分为若干个子区间,在不同子区间上采用不同线性补偿函数达到最佳补偿.由于温度区间缩小,补偿误差也随之减小,从而在...
  • 作者: 叶志镇 周婷 徐伟中 朱丽萍 赵炳辉 黄靖云
    被引次数: 43
    发表期刊: 年1期
    摘要: 采用金属有机化学气相沉积方法在玻璃上生长了掺氮的低电阻p型ZnO薄膜.实验使用NO和N2O共同作为氧源,且NO同时作为掺氮源,二乙基锌作为锌源.X射线衍射测试表明薄膜具有c轴择优取向的结构特...
  • 作者: 姜守振 宁丽娜 徐现刚 李娟 王继杨 王英民 胡小波 蒋民华 陈秀芳
    被引次数: 43
    发表期刊: 年5期
    摘要: 回顾了SiC单晶的发展历史,总结了目前的发展状况,同时介绍了SiC单晶生长所需要的温场和生长工艺,最后介绍了SiC单晶的加工技术.通过模拟计算与具体实验相结合的方法,调整坩埚在系统中的位置及...
  • 作者: 刘珂 尹韬 杨海钢
    被引次数: 43
    发表期刊: 年5期
    摘要: 提出一种适合微传感器读出电路的高精度折叠共源共栅放大器.基于斩波技术和动态元件匹配技术,降低了折叠共源共栅放大器的噪声和失调,采用低阻节点斩波的方法和低压共源共栅电流镜扩大了放大器可处理的输...
  • 作者: 何艳 胡建赟 闵昊
    被引次数: 42
    发表期刊: 年10期
    摘要: 设计了一款应用于超高频段射频识别系统中电子标签的超低电压低功耗基带处理器.该基带处理器兼容<EPCTM Class-1 Generation-2 UHF RFID>协议,并满足无源标签的超低...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
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ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖(90)
2. 全国优秀期刊三等奖(92)
3. 全国优秀期刊三等奖(97)

半导体学报(英文版)统计分析

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