硅在KOH中各向异性腐蚀的物理模型

• 作者: 吴文刚 姜岩峰 杨振川 郝一龙 黄庆安
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 各向异性腐蚀 激活能 腐蚀速率
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 434-439
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.02
• 字数: 5015字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.04.020

摘要

针对硅在KOH中的各向异性腐蚀提出了一个新的物理模型.此模型从微观角度出发,根据实际的腐蚀化学反应过程确定了若干微观状态,提出了反映腐蚀特性的若干微观参数.将腐蚀温度、浓度等对腐蚀速率的影响也反映了进去.计算结果与实验结果进行了对比,表明此模型在解释硅在KOH中各向异性腐蚀特性等方面具有一定的合理性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴文刚	北京大学微电子所	10	81	3.0	9.0
2	郝一龙	北京大学微电子所	46	716	15.0	25.0
3	黄庆安	东南大学微电子中心	35	415	12.0	19.0
4	杨振川	北京大学微电子所	6	85	4.0	6.0
5	姜岩峰	东南大学微电子中心	5	81	4.0	5.0