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半导体学报(英文版)2004年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
总被引数（次）
35317
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 在神经元MOS基本工作原理的基础上,提出了一种新型的匹配滤波器结构,并对具体电路进行了分析.与传统的匹配滤波器相比,具有结构简单的优点,大大减少了器件数目.最后给出了测试芯片的结果,验证了电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 介绍了工作在1.8V的8位125MHz流水线A/D转换器.采用了低功耗的增益自举单级折叠级联运放,器件尺寸逐级减小进一步优化功耗.为消除不匹配造成的相位遗漏与重叠,每级均有独立的双相不交叠时...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 采用222级联全差分结构和低电压、高线性度的电路设计实现了高动态范围、低过采样率的ΣΔ调制器.在1.8V工作电压,4MHz采样频率以及80kHz输入信号的条件下,该调制器能够达到81dB的动...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 提出了用同步外延法设计和制造具有双介质层栅结构和非饱和电流电压特性的高频高功率静电感应晶体管的关键技术.讨论了寄生栅源电容Cgs对静电感应晶体管高频功率特性的影响.描述了工艺上减小寄生电容、...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 提出了一种解决大高宽比SU8结构的新方法.该方法是将SU8胶涂在一块掩模上,紫外光从掩模的背面照射,这样SU8胶的曝光将从底部开始,不需要进行过曝光来保证底部胶的曝光剂量,从而很容易控制曝光...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 提出了一种降低走线拥挤的标准单元增量式布局算法C-ECOP.首先通过一种新型的布线模型来估计芯片上的走线情况,然后构造一个整数线性规划问题来解决可能出现的相邻拥挤区域冲突问题.实验结果表明该...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 介绍了以Si/SiO2系统构成的量子异或门的工作原理,研究了耦合不对称双量子点所构成的量子比特的电子隧穿特性.研究结果表明,通过栅压可很好地实现控制电子在两个量子点间共振隧穿,其隧穿时间随势...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 在LEC GaAs晶片中,存在相当大的弹性应变,在高温退火后,晶片的晶格参数的相对变化量不到原生晶片的70%,残余应力得以部分释放,从而减小残余应力诱生断裂的可能性,提高了GaAs晶体的断裂...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 采用光辐射加热低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)方法在蓝宝石衬底上生长了高P组分的GaN1-x-Px三元合金薄膜,通过喇曼光谱和红外反射谱技术研究了GaN1-xPx合金中P掺杂所引...
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10. 溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜及表征刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上使用旋转涂覆技术生长了ZnO薄膜.对薄膜的XRD分析表明ZnO薄膜为纤锌矿结构并沿c轴取向生长.透射光谱表明薄膜的禁带宽度为3.28eV,与ZnO体材料的禁带...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 在室温下,采用射频磁控溅射法在7059玻璃衬底上制备出ZnO-SnO2透明导电薄膜.制备的薄膜为非晶结构,并且薄膜的电阻率强烈地依赖于溅射气体中的氧分压.薄膜的最小电阻率为7.27×10-3...
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12. 直拉硅单晶中的流动图形缺陷刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 用Secco腐蚀液对直径150mm p型(100)直拉硅单晶片进行择优腐蚀后,得到了流动图形缺陷(FPDs),并通过原子力显微镜(AFM)对其微观结构进行观察.实验发现,在FPDs缺陷的尖端...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 利用直流反应磁控溅射方法在金属Al过渡层上沉积了Si基ZnO晶体薄膜,并利用X射线衍射、扫描电子显微镜和扩展电阻测试仪对ZnO薄膜的晶体质量和电学性能进行了分析.结果表明,ZnO薄膜具有高度...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 报道了研制的AlGaN/GaN微波功率HEMT,该器件采用以蓝宝石为衬底的非掺杂AlGaN/GaN异质结构,器件工艺采用了Ti/Al/Ni/Au欧姆接触和Ni/Au肖特基势垒接触以及SiN介...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 用二维器件仿真软件MEDICI对SiCOI (SiC on insulator) MESFET的击穿特性进行了研究,提出了一种新的SiCOI MESFET器件介质槽隔离结构,即多台阶介质槽隔...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 测量了应力前后GaAs PHEMT器件电特性的退化,指出了GaAs PHEMT阈值电压的退化由两个原因引起.栅极下AlGaAs层深能级的空穴积累可以解释阈值电压漂移中暂时性的、可恢复的那部分...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 根据Bore提出的一种MEMS薄膜断裂强度静电测试结构,给出了一种改进的数学模型,根据此数学模型可以很简单地测出MEMS薄膜的断裂强度.对各种不同尺寸的结构用Coventor软件对所给模型进...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 为分析IC多层版图扫描电镜(SEM)对准检测所利用的负带电成像原理,采用Mott弹性散射截面和修正的Bethe非弹性碰撞公式,对点照射入射电子在绝缘膜中的散射过程进行了Monte Carlo...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 对数模转换器(DAC)中温度译码转换矩阵的开关选取顺序进行了研究.在SG(sort and group)算法基础上,提出了一种新的补偿DAC转化矩阵中梯度误差(gradient error)...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 采用基于湿法腐蚀工艺的体硅微机械加工方法,利用(110)硅片结晶学特性,通过光刻、反应离子刻蚀和湿法刻蚀等工艺,在硅片上同时制作出微光开关的微反射镜结构、悬臂梁结构、扭臂梁结构和光纤定位槽结...
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21. 镓杂质RS效应的研究与分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 在确定的开管扩镓装置中,以氢气作为镓源Ga2O3的反应和输运气体,凭借准确地控制扩散条件,控制Ga在SiO2/Si系统中扩散,可获得良好的杂质RS效应.根据Ga在Si和SiO2中的扩散行为,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 针对制造高压晶闸管p型杂质扩散工艺的不足,进行了开管式受主双质掺杂技术的研究.通过大量试验和工艺论证,研制成一种气(Ga)-固(Al掺杂氧化物)-固(Si)掺杂新工艺.经应用证明,该掺杂技术...
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23. ULSI硅衬底的化学机械抛光刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年1期页码:摘要： 在分析ULSI中硅衬底CMP的动力学过程基础上,提出了在机械研磨去除产物过程中,适当增强化学作用可显著改善产物的质量传输过程,从而提高抛光效率.在对不同粒径分散度的硅溶胶抛光液进行比较后提出...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年2期页码:摘要： 用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为1035cm2/(V·s),二维电子气浓度为1.0×1013cm-2,77K迁移率为2653cm2/(V·s),二维电子气浓度为9.6×1012cm-...
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25. 平面型埋栅结构的静电感应晶体管刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年2期页码:摘要： 在表面栅和埋栅结构的基础上,提出了一种制造静电感应晶体管的新型结构,平面型埋栅结构.用普通的平面工艺实现了具有高击穿电压的埋栅结构,避免了工艺难度较大的二次外延和台面腐蚀工艺.实验结果表明该...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年2期页码:摘要： 建立了光电探测器的行为模型.此模型描述了注入光功率与光生电流的关系,以及反偏电压对光生电流与结电容的影响.给出了在统一的SPICE设计环境中对光电子器件与电路协同设计的方法,并对光电探测器与...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年2期页码:摘要： 介绍了基于共振隧穿二极管的隧穿静态随机存储器的单元结构和原理.讨论了nMOS,pMOS和CMOS作为单元里的选中管的特点,综合考虑面积和功耗后,发现nMOS是选中管的最佳选择.设计了基于RT...
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28. 光控单稳-双稳转换逻辑单元刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年2期页码:摘要： 用光电晶体管替换HEMT作为输入端,结合RTD可以构成新的光控逻辑单元,它具有光电流开关和自锁功能,该功能在实验及电路模拟中得到证实.在此基础上,若以异质结光电管(HPT)和RTD集成,可以...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年2期页码:摘要： 对半绝缘GaAs晶片进行As+注入,注入能量为400keV,剂量为1016cm-2.用这种注入条件下的GaAs晶片作为吸收体和输出镜,在被动调Q闪光灯泵浦的Nd∶YAG激光器上获得了62ns...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年2期页码:摘要： 研究了2.5nm超薄栅短沟pMOSFETs在Vg=Vd/2应力模式下的热载流子退化机制及寿命预测模型.栅电流由四部分组成:直接隧穿电流、沟道热空穴、一次碰撞电离产生的电子注入、二次碰撞电离产...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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