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MEMS薄膜纵向断裂强度的静电测试结构模型与模拟
MEMS薄膜纵向断裂强度的静电测试结构模型与模拟
作者:
梅年松
黄庆安
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
MEMS薄膜
断裂强度
静电测试结构
数学模型
摘要:
根据Bore提出的一种MEMS薄膜断裂强度静电测试结构,给出了一种改进的数学模型,根据此数学模型可以很简单地测出MEMS薄膜的断裂强度.对各种不同尺寸的结构用Coventor软件对所给模型进行了验证,结果表明所得出的数学模型比原文中所给出的数学模型更为准确.
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文献信息
篇名
MEMS薄膜纵向断裂强度的静电测试结构模型与模拟
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
MEMS薄膜
断裂强度
静电测试结构
数学模型
年,卷(期)
2004,(1)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
82-86
页数
5页
分类号
TN405
字数
2335字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2004.01.017
五维指标
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断裂强度
静电测试结构
数学模型
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
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