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半导体学报(英文版)2005年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
总被引数（次）
35317
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 设计了一种带有Al0.22Ga0.78As/In0.15Ga0.85As/GaAs发射极空间层和GaAs/In0.15Ga0.85As/GaAs量子阱的共振隧穿二极管(RTD)材料结构,并且...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 制备并研究了TiN栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件,并对其关键工艺进行了详细阐述.相对于双多晶硅栅器件,在不改变阈值电压的前提下,可以减小nMOS和pMOS的沟道掺杂浓度,进而提高迁移率.由...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 报道了用飞秒激光脉冲触发GaAs光电导开关产生超短电磁脉冲辐射超宽带电磁波的实验结果,分析了超短电脉冲串经宽带天线的辐射特性.在接收端获得了上升时间200ps、脉冲宽度500ps、重复频率8...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 提出了一种利用深反应离子刻蚀(DRIE)和电介质填充方法来制造具有高深宽比的深电学隔离槽的新型技术.还详细讨论了DRIE刻蚀参数与深槽侧壁形状之间的关系,并作了理论上的阐述.采用经过参数优化...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 提出一种专用于带有预设计模块的混合模式布局的划分算法.它基于扩展的MFFC结群算法,结合自下而上的结群和自上而下的划分为一体进行混和模式下的划分.这样不仅可以使划分能够考虑电路本身的逻辑依赖...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 对薄膜积累型SOI pMOSFET的制备和特性进行了研究.把一些特性和反掺杂型SOI pMOSFET进行了比较.其亚阈值斜率只有69mV/decade,而且几乎没有DIBL效应.漏击穿电压为...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 报道了一种用透射谱数据分析法计算非晶硅碳薄膜的厚度、折射率、吸收系数和光学带隙等光学常数的方法和程序.这一方法引用有效谐振子模型理论的折射率色散关系,所有公式均为解析表达式,便于进行数据处理...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 采用金属有机化学气相沉积方法在玻璃上生长了掺氮的低电阻p型ZnO薄膜.实验使用NO和N2O共同作为氧源,且NO同时作为掺氮源,二乙基锌作为锌源.X射线衍射测试表明薄膜具有c轴择优取向的结构特...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 采用直流磁控反应溅射法,在Si(100),Al/Si(100)和Pt/Ti/Si(100)等多种衬底上制备了用于MEMS器件的AlN薄膜.用XRD和AES对薄膜的结构和组分进行了分析,通过优...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 采用化学水浴法制备了CdS多晶薄膜,通过XRD,AFM,XPS和光学透过率谱等测试手段研究了CdS多晶薄膜生长过程中的结构和性能.结果表明,随着沉积的进行,薄膜更加均匀、致密,与衬底粘附力增...
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11. 多孔硅/PVK复合体系的光电性能刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 用旋涂法实现了多孔硅与聚乙烯咔唑的复合,并研究了不同温度热处理后复合体系的电学和光学性能.实验结果表明:热处理有利于复合体系发光强度的提高;而且当热处理温度不超过120℃,随着热处理温度的升...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W/Ti/Au多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触,在溅射金属层之前分别用HCl溶液和(NH4)2S溶液对n-GaAs材料的表面进行处理.用传输线法对...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 通过高分辨X射线衍射仪中的二维点阵研究了溅射的CdTe介质膜对HgCdTe外延层的影响.发现在高溅射能量下沉积的钝化膜由于应力的作用,HgCdTe晶片出现弯曲及大量镶嵌结构,而这种镶嵌结构可...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 利用浓硼扩散腐蚀停止技术制备自由悬空硅薄膜时,在薄膜的表面观察到了呈分形生长的反应生成络合物聚集结构.研究表明,薄膜表面的生成物的分形属于典型的有限扩散集团凝聚模型,其分形维数值约为1.66...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 研究了LEC 法生长SI-GaAs衬底上的AB微缺陷对相应的MESFET器件性能(跨导、饱和漏电流、夹断电压)的影响.用AB腐蚀液显示AB微缺陷(AB-EPD:103～104cm-2量级),...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 采用旋涂和真空蒸发沉积工艺制备了结构分别为ITO/PVK:TPD/Alq3/Al和ITO/PVK:TPD/LiBq4/Alq3/Al的绿色和蓝色有机电致发光器件(OLED),并研究了空穴缓冲...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 研究了p+栅pMOSFET中的NBTI效应.通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化,研究了氮化栅氧中氮对NBTI效应的作用,并给出了栅氧中的氮对NBTI效应影响的可能机制,即栅...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 报道了基于蓝宝石衬底的高性能1mm AlGaN/GaN HEMTs功率器件.为了提高微波功率器件性能,采用新的欧姆接触和新型空气桥方案.测试表明,器件电流密度为0.784A/mm,跨导197...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 采用发射极-基极金属自对准工艺,成功研制出了InGaP/GaAs功率HBT.发射极尺寸为(3μm×15μm)×16的功率器件的截止频率和最高振荡频率分别为55GHz和35GHz.在片load...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 提出一种新结构的微波功率SiGe异质结双极晶体管(SiGe HBT),该结构通过在传统SiGe HBT的外基区下的集电区中挖槽并填充SiO2的方法来改善器件的高频性能.将相同尺寸的新结构和传...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 采用干/湿法腐蚀相结合技术,利用氢氧化钾(KOH)溶液和六氟化硫(SF6)对Si及SiGe材料进行腐蚀,研究自对准Si/SiGe HBT台面器件,获得了fT＝40GHz,fmax＝127.1...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 对100mm In0.49Ga0.51P/GaAs HBT器件及相关电路制备中的In0.49Ga0.51P腐蚀问题、聚酰亚胺平面化、空气桥等几项关键工艺进行了研究,解决了器件及电路制备过程中...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 对注F和未注F CC4007器件在100℃高温老化后的Co60辐照特性进行了研究.研究发现辐照前的高温老化减少了注F器件在辐照中的界面态陷阱电荷的积累,但是普通器件辐照前的高温老化在减少辐照...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 成功制备了EOT(equivalent oxide thickness)为2.1nm的Si3N4/SiO2(N/O) stack栅介质,并对其性质进行了研究.结果表明,同样EOT的Si3N4...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 针对沟道长度为50nm的UTB SOI器件进行了交流模拟工作,利用器件主要的性能参数,详细分析了UTB结构的交流特性.通过分析UTB SOI器件的硅膜厚度、侧墙宽度等结构参数对器件交流特性的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 对少数载流子寿命横向非均匀分布(minority-carrier life time lateral non-uniform distribution,MLD)结构的快恢复二极管进行了理论研...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 介绍了一种将矩量法应用于刻蚀衍射光栅解复用器设计分析的偏振敏感型方法.通过数值分析,证明提供的方法在分析器件色散响应方面比传统的标量方法更加接近实测结果.分析了器件的偏振独立损耗和偏振色散差...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 研究了基于绝缘材料上的硅(SOI)材料的平面波导刻蚀光栅分波器的主要制作工艺.利用电感耦合等离子体刻蚀(ICP)技术,在SOI材料上制作了垂直度大于89°的光滑的光栅槽面.氧化抛光后刻蚀侧壁...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 在同一HgCdTe晶片上制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种光伏探测器,对器件的性能进行了测试,发现双层钝化的器件具有较好的性能.通过理论计算,分析了器件的暗电流机制,发...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 设计了一种基于体微机械加工技术的新型音叉式微机械陀螺.该陀螺在驱动模态和检测模态的空气阻尼均为滑膜阻尼,有效提高了微机械陀螺的Q值和灵敏度,同时降低了陀螺的热机械噪声.对陀螺噪声特性进行的分...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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