深亚微米p+栅pMOSFET中NBTI效应及氮在其中的作用

• 作者: 刘红侠 郝跃 韩晓亮
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: NBTI效应 氮化栅氧 界面态 氧化层正固定电荷
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 84-87
• 页数: 4页
• 分类号: TN306|TN386.1
• 字数: 2490字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.01.017

摘要

研究了p+栅pMOSFET中的NBTI效应.通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化,研究了氮化栅氧中氮对NBTI效应的作用,并给出了栅氧中的氮对NBTI效应影响的可能机制,即栅氧中氮形成的Si-N键不易被分解,但栅氧中的氮提供了H+的陷阱中心,导致NBTI效应中氧化层正固定电荷的增加,其总体效果表现为氮对NBTI效应退化影响的增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	刘红侠	西安电子科技大学微电子研究所	91	434	10.0	15.0
3	韩晓亮	西安电子科技大学微电子研究所	9	64	5.0	8.0