超深亚微米SOI NMOSFET中子辐照效应数值模拟

• 作者: 张国和 胡志良 贺朝会 郭达禧
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 中子辐照 超深亚微米 SOI NMOSFET 数值模拟
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 456-460
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文

摘要

考虑3种特征尺寸的超深亚微米SOI NMOSFET的中子辐照效应.分析了中子位移辐照损伤机理,数值模拟了3种器件输出特性曲线随能量为1 MeV的等效中子在不同辐照注量下的变化关系及中子辐照环境下器件工艺参数对超深亚微米SOI NMOSFET的影响.数值模拟部分结果与反应堆中子辐照实验结果一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国和	西安交通大学能源与动力工程学院	14	45	4.0	6.0
2	郭达禧	西安交通大学能源与动力工程学院	2	4	2.0	2.0
3	贺朝会	西安交通大学能源与动力工程学院	35	120	5.0	10.0
4	胡志良	西安交通大学能源与动力工程学院	3	8	2.0	2.0