深亚微米FD-SOI器件亚阈模型

• 作者: 唐天同 沈文正 程彬杰 赵文魁 邵志标
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 表面势 漏感应势垒降低效应 亚阈区模型 全耗尽MOS器件
• 年，卷（期）: 2001,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 908-914
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 字数: 4751字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.07.019

摘要

通过对全耗尽SOI器件硅膜中的纵向电位分布采用准三阶近似,求解亚阈区的二维泊松方程,得到全耗尽器件的表面势公式;通过引入新的参数,对公式进行修正,建立深亚微米全耗尽器件的表面势模型,能够很好地描述漏感应势垒降低效应.在此基础上,建立了亚阈漏电流模型,它能够很好的描述亚阈区的完整漏电流特性,模型计算结果与二维器件模拟软件MEDICI的模拟结果相符.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵志标		42	180	9.0	10.0
2	唐天同		49	145	6.0	9.0
3	赵文魁		5	22	3.0	4.0
4	程彬杰		7	16	3.0	3.0
5	沈文正		4	9	2.0	2.0