基于摄动法研究短沟道SOI MOSFET亚阈值特性

• 作者: 褚蕾蕾 金林 陈军宁 高珊
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 正则摄动 二维 表面势 亚阈值 短沟道SOI MOSFETs
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 13-16
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文

摘要

提出了一种新的方法对短沟道SOI MOSFETs亚阈区的二维表面势的解析模型进行了改进,即摄动法.由于在短沟道SOI MOSFETs中不仅需要计及不可动的电离杂质,而且需要考虑自由载流子的数量和分布的影响.利用摄动法求解非线性泊松方程可以得到短沟道SOI MOSFETs二维的表面势解析模型.通过与二维数值模拟器MEDICI模拟结果比较,证明了在亚阈区改进模型所得的结果比只计及不可动的电离杂质的SOI MOSFETs模型所得的结果吻合更好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈军宁	安徽大学电子科学与技术学院	160	1135	16.0	26.0
2	高珊	安徽大学电子科学与技术学院	28	89	6.0	8.0
3	褚蕾蕾	安徽大学电子科学与技术学院	5	3	1.0	1.0
4	金林	安徽大学电子科学与技术学院	2	2	1.0	1.0