国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐照效应及可靠性

• 作者: 余学峰 兰博 刘刚 崔江维 李茂顺 费武雄 赵云 陈睿
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 总剂量辐照效应 退火效应 可靠性
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 1257-1261
• 分类号: TN386.1|TN406
• 语种: 中文

摘要

对国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET 60Co γ射线的总剂量辐照效应及其可靠性进行了研究.结果表明:辐照引入的氧化物陷阱电荷是阈值电压漂移的主要因素;背栅对总剂量辐照更为敏感,但在背栅特性漂移未超出一定范围的情况下,依然是正栅氧化层质量决定了器件的抗辐照性能;界面态陷阱电荷的散射作用降低了器件的源漏饱和电流;总剂量辐照后器件的常规可靠性可能会降低.