部分耗尽SOI工艺器件辐射效应的研究

• 作者: 岳素格 张晓晨 李建成
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: SOI 辐射效应 单粒子翻转 总剂量效应
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 页码范围: 138-143
• 分类号: TN4
• 语种: 中文

摘要

对0.13μm部分耗尽SOI工艺的抗辐射特性进行了研究.首先通过三维仿真研究了单粒子事件中的器件敏感区域,随后通过实验分析了器件的总剂量效应.三维仿真研究了离子入射位置不同时SOI NMOS器件的寄生双极效应和电荷收集现象,结果表明,离子入射在晶体管的体区和漏区时,均可以引起较大水平的电荷收集.对SRAM单元的单粒子翻转效应（SEU）进行了仿真,结果表明,体区和反偏的漏区都是翻转的敏感区域.通过辐照实验分析了器件的总剂量效应,在该工艺下对于隐埋氧化层,关断状态是比传输门状态更劣的辐射偏置条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	岳素格		28	96	5.0	8.0
2	张晓晨		3	5	1.0	2.0
3	李建成		1	1	1.0	1.0