部分耗尽CMOS/SOI工艺

• 作者: 刘忠立 刘新宇 吴德馨 和致经 孙海峰 扈焕章 海潮和 陈焕章
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: PBL 沟道工程 双层布线
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 806-810
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.12
• 字数: 3603字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.06.028

摘要

对部分耗尽CMOS/SOI工艺进行了研究,成功地开发出成套部分耗尽CMOS/SOI抗辐照工艺.其

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子中心	141	717	13.0	18.0
2	海潮和	中国科学院微电子中心	72	277	9.0	13.0
3	吴德馨	中国科学院微电子中心	58	345	11.0	14.0
4	刘忠立	中国科学院半导体研究所	77	412	12.0	14.0
5	孙海峰	中国科学院微电子中心	10	45	4.0	6.0
6	陈焕章	中国科学院微电子中心	2	29	2.0	2.0
7	扈焕章	中国科学院微电子中心	2	29	2.0	2.0
8	和致经	中国科学院半导体研究所	36	229	9.0	13.0