部分耗尽SOI ESD保护电路的研究

• 作者: 汤仙明 韩郑生
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘衬底上的硅 静电放电 栅控二极管 人体放电模型
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 电子电路设计分析及应用
• 页码范围: 208-211
• 分类号: TN432
• 字数: 3066字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2012.02.021

摘要

为了解决SOI技术的ESD问题,我们设计了一种适用于部分耗尽SOI的栅控二极管结构的ESD保护电路,并进行了ESD实验.通过实验研究了SOI顶层硅膜厚度、栅控二极管的沟道长度和沟道宽度,限流电阻以及电火花隙等因素对保护电路抗ESD性能的影响,我们发现综合考虑这些因素,就能够在SOI技术上获得良好的抗ESD性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	汤仙明		1	1	1.0	1.0