CMOS集成电路中电源和地之间的ESD保护电路设计

• 作者: 吴建辉 姚维连 孙伟锋
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 互补型金属氧化物集成电路 静电放电 保护电路 电源和地
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 接地防护技术
• 页码范围: 12-15
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2004.05.004

摘要

讨论了3种常用的CMOS集成电路电源和地之间的ESD保护电路,分别介绍了它们的电路结构以及设计考虑,并用Hspice对其中利用晶体管延时的电源和地的保护电路在ESD脉冲和正常工作两种情况下的工作进行了模拟验证.结论证明:在ESD脉冲下,该保护电路的导通时间为380ns;在正常工作时,该保护电路不会导通,因此这种利用晶体管延时的保护电路完全可以作为CMOS集成电路电源和地之间的ESD保护电路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴建辉	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	102	725	13.0	20.0
2	孙伟锋	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	105	634	13.0	19.0
3	姚维连	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	1	13	1.0	1.0