CMOS集成电路IDD频谱图形测试理论与实践

• 作者: 李少平 肖庆中
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 互补金属氧化物半导体集成电路 电源电流 缺陷 开关电流 频谱图形 测试向量
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 测试技术
• 页码范围: 60-62
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2002.02.016

摘要

分析了CMOS集成电路电源电流与集成电路芯片缺陷的相关性,介绍了CMOS集成电路新的测试方法--IDD频谱图形测试方法的测试原理,以及实现CMOS集成电路IDD频谱图形测试的测试框图.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李少平		12	27	3.0	3.0
2	肖庆中		2	5	2.0	2.0