CMOS集成电路的抗辐射设计

• 作者: 张小平 杨松 陈仁生 雷天民
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: CMOS集成电路 抗辐射加固 总剂量效应 单粒子效应
• 年，卷（期）: 2003,（z1）
• 所属期刊栏目: 微电子技术
• 页码范围: 68-70
• 页数: 3页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2003.z1.021

摘要

随着商业微电子器件抗辐射能力的提高,使得对专用集成电路(ASIC)从设计上进行抗辐射加固成为可能.本文介绍了CMOS器件的抗电离辐射的主要加固设计方法,认为在商业工艺上可以获得低成本的中等复杂程度和耐辐射能力的专用集成电路(ASIC).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨松		63	259	10.0	13.0
2	雷天民		17	78	5.0	8.0
3	张小平		1	10	1.0	1.0
4	陈仁生		2	12	2.0	2.0