CMOS集成电路的ESD模型和测试方法探讨

• 作者: 令文生 向宏莉 徐骏华
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 静电放电 ESD模型 电流 CMOS
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 监测与分析
• 页码范围: 70-73
• 页数: 4页
• 分类号: TN47
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2004.09.028

摘要

随着超大规模集成电路工艺的高速发展,特征尺寸越来越小,而静电放电(Electrostatic Discharge)对器件可靠性的危害变得越来越显著.因此,静电放电测试已经成为对器件可靠性评估的一个重要项目.介绍了ESD的4种等效模型:人体、机器、器件充电和场感应模型,以及各模型的特点和等效测试电路.同时较详细的介绍了ESD的测试方式和方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	令文生		5	29	3.0	5.0
2	徐骏华		2	23	2.0	2.0
3	向宏莉		1	20	1.0	1.0