原文服务方: 电子产品可靠性与环境试验       
摘要:
介绍了一种研究器件和电路结构在ESD期间新的特性测试方法--TLP法,该方法不仅可替代HBM测试,还能帮助电路设计师详细地分析器件和结构在ESD过程中的运行机制,有目的地进行器件ESD保护电路的设计,提高器件的抗ESD水平.
推荐文章
CMOS集成电路的ESD设计技术
互补金属氧化物半导体
集成电路
静电放电
技术
设计
CMOS集成电路的ESD模型和测试方法探讨
静电放电
ESD模型
电流
CMOS
CMOS集成电路中电源和地之间的ESD保护电路设计
互补型金属氧化物集成电路
静电放电
保护电路
电源和地
CMOS集成电路中ESD保护技术研究
静电放电
失效模式
ESD保护电路
栅耦舍
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 集成电路抗ESD设计中的TLP测试技术
来源期刊 电子产品可靠性与环境试验 学科
关键词 静电放电 传输线脉冲 测试技术 人体模型
年,卷(期) 2003,(4) 所属期刊栏目 测试技术
研究方向 页码范围 44-46
页数 3页 分类号 TN407
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-5468.2003.04.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 罗宏伟 西安电子科技大学微电子研究所 8 63 5.0 7.0
5 师谦 11 110 7.0 10.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (1)
节点文献
引证文献  (27)
同被引文献  (18)
二级引证文献  (80)
1999(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2003(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2004(2)
  • 引证文献(2)
  • 二级引证文献(0)
2005(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2006(3)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(3)
2007(6)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(5)
2008(11)
  • 引证文献(4)
  • 二级引证文献(7)
2009(11)
  • 引证文献(6)
  • 二级引证文献(5)
2010(5)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(5)
2011(4)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(4)
2012(5)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(4)
2013(9)
  • 引证文献(2)
  • 二级引证文献(7)
2014(7)
  • 引证文献(2)
  • 二级引证文献(5)
2015(15)
  • 引证文献(3)
  • 二级引证文献(12)
2016(12)
  • 引证文献(3)
  • 二级引证文献(9)
2017(3)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(2)
2018(5)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(4)
2019(6)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(6)
2020(2)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(2)
研究主题发展历程
节点文献
静电放电
传输线脉冲
测试技术
人体模型
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子产品可靠性与环境试验
双月刊
1672-5468
44-1412/TN
大16开
广州市增城区朱村街朱村大道西78号
1962-01-01
中文
出版文献量(篇)
2803
总下载数(次)
0
总被引数(次)
9369
  • 期刊分类
  • 期刊(年)
  • 期刊(期)
  • 期刊推荐
论文1v1指导