模拟CMOS集成电路SEL仿真验证研究

• 作者: 罗俊
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: CMOS集成电路 单粒子闩锁 失效物理 仿真验证
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 仿真建模与分析
• 页码范围: 47-53
• 页数: 7页
• 分类号: IP391.99
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2019.04.011

摘要

为了解决航天用模拟CMOS集成电路的单粒子闩锁效应的评估问题,结合一种基于失效物理的半导体器件仿真方法,提出了基于失效物理的模拟CMOS集成电路单粒子闩锁仿真验证方法,并在此基础上,以某型8位抗辐照AD转换器芯片为研究对象,通过对该CMOS单元器件的抗单粒子闩锁能力进行仿真研究,可以确定该器件的抗单粒子闩锁能力高于75 MeV/mg·cm2,与实际的试验结果一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗俊	中国电子科技集团公司第二十四研究所	46	176	8.0	10.0