原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
本文通过分析集成电路级单粒子效应的表征形式和传播规律,建立了一套科学合理、操作性强的单粒子效应仿真和预估方法.在对集成电路级单粒子效应掩蔽因子计算方法、单粒子仿真评估流程研究的基础上,设计了基于故障注入方式的单粒子效应掩蔽因子计算方法以及仿真软件.本文利用该仿真方法对一款65 nm CMOS体硅工艺的ASIC电路进行软件仿真.仿真结果与试验结果分析表明,该仿真方法可以用于大规模集成电路的单粒子效应仿真,并对试验结果具有一定的预估能力.
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文献信息
篇名 基于掩蔽因子算法的集成电路级SEU仿真技术研究
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 集成电路级仿真 单粒子翻转 掩蔽因子 集成电路
年,卷(期) 2020,(8) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 61-65
页数 5页 分类号 TP302.8
字数 语种 中文
DOI
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 郑宏超 16 23 2.0 4.0
2 李哲 3 1 1.0 1.0
3 武永俊 1 0 0.0 0.0
4 赵旭 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
集成电路级仿真
单粒子翻转
掩蔽因子
集成电路
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
出版文献量(篇)
9826
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总被引数(次)
59060
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