抗辐射模拟CMOS集成电路研究与设计

• 作者: 徐立新 赵源 赵琦 金星
• 来源期刊: 中国空间科学技术
• 关键词: 互补金属氧化物半导体 阈值电压 跨导 抗辐射 单晶半导体硅膜 空间环境 航天器
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 72-76
• 页数: 5页
• 字数: 3046字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3780/j.issn.1000-758X.2013.03.011

摘要

为研究宇宙辐射环境中航天器里的模拟互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)集成电路性能和各种效应,并在辐射效应所产生机制的基础上,从设计和工艺方面提出了模拟CMOS集成电路主要抗辐射加固设计方法.在宇宙环境中,卫星中的模拟CMOS集成电路存在CMOS半导体元器件阈值电压偏离、线性跨导减小、衬底的漏电流增加和转角1/f噪声幅值增加.所以提出了3种对模拟CMOS集成电路进行抗辐射加固的方法:1)抗辐射模拟CMOS集成电路的设计;2)抗辐射集成电路版图设计;3)单晶半导体硅膜(Silicon on Insulator,SOI)抗辐射工艺与加固设计.根据上面的设计方法研制了抗辐射加固模拟CMOS集成电路,可以取得较好的抗辐射效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐立新		47	433	11.0	18.0
2	赵源		2	11	1.0	2.0
6	赵琦		2	15	2.0	2.0
7	金星		2	35	2.0	2.0