CMOS存储器IDD频谱图形测试

• 作者: 李少平 肖庆中
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 互补金属氧化物半导体存储器 电源电流 频谱图形 测试向量 缺陷
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 测试技术
• 页码范围: 50-52
• 页数: 3页
• 分类号: TP333.5+2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2004.04.014

摘要

通过对CMOS存储器IDD频谱图形测试过程的介绍,测试及试验数据证实CMOS存储器IDD频谱图形测试是可行的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李少平		12	27	3.0	3.0
2	肖庆中		2	5	2.0	2.0