64K CMOS 随机存储器瞬时辐射损伤模式分析

• 作者: 李瑞斌 杨善潮 林东生 王桂珍 白小燕 郭晓强 龚建成
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 随机存储器 剂量率 翻转阈值 路轨塌陷
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 121-123
• 页数: 3页
• 分类号: TN43|TL929
• 语种: 中文

摘要

对64K CMOS随机存储器6264进行了"强光一号"长脉冲辐射状态和短脉冲辐射状态下的辐照实验,测量了存储器翻转效应,分析了不同脉冲宽度下效应的差异,绘制了存储单元的翻转位图,研究了6264的辐射损伤模式.对于6264,其存储单元的翻转主要由内部路轨塌陷引起.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚建成		27	110	6.0	8.0
2	林东生		33	148	8.0	10.0
3	王桂珍		32	156	7.0	9.0
4	杨善潮		28	101	6.0	7.0
5	白小燕		15	73	6.0	7.0
6	郭晓强		27	152	7.0	11.0
7	李瑞斌		3	13	2.0	3.0