CMOS工艺微控制器瞬时电离辐射效应实验研究

• 作者: 杨善潮 林东生 王桂珍 白小燕 范如玉 金晓明 陈伟
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 瞬时电离辐射 微控制器 扰动 闭锁 闭锁阈值
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 1487-1492
• 分类号: TN431|TN792
• 语种: 中文

摘要

利用CMOS工艺微控制器的实验测试系统,在"强光一号"加速器上进行了瞬时剂量率效应实验.实验研究采用的γ脉冲宽度为20 ns,剂量率(以Si原子计)为6.7×106～2.0×108 Gy/s.在不同的剂量率水平下观察到了扰动和闭锁效应,获得了微控制器的闭锁阈值,分析了扰动时间、系统功耗电流与剂量率间的关系.瞬时电离辐射在CMOS工艺电路的PN结中产生光电流,导致了电学和功能参数的退化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈伟		95	286	8.0	11.0
2	林东生		33	148	8.0	10.0
3	王桂珍		32	156	7.0	9.0
4	范如玉	清华大学工程物理系	34	168	7.0	10.0
8	杨善潮		28	101	6.0	7.0
9	白小燕		15	73	6.0	7.0
10	金晓明	清华大学工程物理系	2	10	2.0	2.0