瞬时电离辐射剂量率对BiMOS运放输出扰动时间的影响

• 作者: 杨善潮 林东生 王桂珍 范如玉 陈伟 马强 齐超 龚建成
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: BiMOS 集成运算放大器 γ瞬时电离辐射 扰动时间 剂量率
• 年，卷（期）: 2010,（z1）
• 页码范围: 545-549
• 分类号: TN431|TN792
• 语种: 中文

摘要

对两种不同类型BiMOS运算放大器(JFET-Bi,PMOS-Bi)γ瞬时电离辐射效应进行研究.结果显示,BiMOS运放瞬时辐射扰动时间随剂量率变化呈现出一定的规律性,在剂量率较低情况下扰动时间随剂量率指数增长,剂量率较高时,扰动时间呈现出饱和特性.另外,输入信号不同,输出扰动时间随剂量率的变化也会有差异.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈伟		95	286	8.0	11.0
2	龚建成		27	110	6.0	8.0
3	林东生		33	148	8.0	10.0
4	王桂珍		32	156	7.0	9.0
5	范如玉		34	168	7.0	10.0
6	杨善潮		28	101	6.0	7.0
7	马强		10	26	3.0	4.0
8	齐超		8	19	3.0	3.0