SRAM型FPGA瞬时电离辐射功能错误实验研究

• 作者: 杨善潮 林东生 王桂珍 陈伟 马强 齐超 龚建成
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 瞬时电离辐射 功能错误 敏感配置位
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 157-160
• 页数: 4页
• 分类号: TN431|TN792
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2013.47.01.0157

摘要

定性分析了SRAM型FPGA瞬时电离辐射功能错误,认为功能错误阈值与敏感配置位数无关.设计了两种敏感配置位数相差悬殊的由查找表和D触发器构成的移位寄存器链,在“强光一号”加速器上开展了FPGA瞬时电离辐射效应实验研究,对比了各功能输出在不同剂量率下的功能错误情况,结果未发现敏感配置位数对功能错误阈值有任何影响,验证了定性分析结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈伟		95	286	8.0	11.0
2	龚建成		27	110	6.0	8.0
3	林东生		33	148	8.0	10.0
4	王桂珍		32	156	7.0	9.0
5	杨善潮		28	101	6.0	7.0
6	马强		10	26	3.0	4.0
7	齐超		8	19	3.0	3.0