空间辐射效应对SRAM型FPGA的影响

• 作者: 季金明 杨俊 邢克飞
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 总剂量效应 单粒子效应 位移损伤 SRAM型FPGA
• 年，卷（期）: 2006,（12）
• 页码范围: 107-110
• 页数: 4页
• 分类号: V476.5|V520.6
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2006.12.031

摘要

以Xilinx的FPGA为例,结合相关试验数据,分析了空间总剂量效应、单粒子翻转、单粒子闩锁、单粒子功能中断、单粒子烧毁、单粒子瞬态脉冲和位移损伤等辐射效应对SRAM即GA器件的漏极电流、阈值电压、逻辑功能等影响,分析了辐射效应的机理以及FPGA的失效模式.文章可以为SRAM型KFPGA在航天领域中的应用提供参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨俊		86	803	16.0	24.0
2	邢克飞		14	92	5.0	9.0
3	季金明		5	60	4.0	5.0