SRAM型FPGA单粒子随机故障注入模拟与评估

• 作者: 李安琪 潘雄 王磊 苑政国 邓威
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 单粒子效应 故障注入 SRAM型FPGA 部分重配置
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 页码范围: 23-27
• 页数: 5页
• 分类号: TN431.2|V240.2
• 语种: 中文

摘要

在空间应用中,静态随机访问存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)电路会遭遇空间辐射环境单粒子效应(SEU)引起的逻辑位翻转错误.为了在设计过程中,快速对功能电路设计的容错防护能力进行评估,本文提出一种基于部分重配置技术的随机多位故障注入和统计评估的方法,可计算出动态翻转截面.并搭建了一个故障注入系统,以六路移位寄存器作为功能电路进行了多种参数组合(重复次数和注入位数)的随机故障注入试验.实验数据与传统方法数据进行对比,证明本文所述方法的可行和准确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王磊	北京航空航天大学光电技术研究所	72	437	12.0	19.0
2	潘雄	北京航空航天大学光电技术研究所	39	189	8.0	12.0
3	邓威	北京航空航天大学光电技术研究所	2	4	1.0	2.0
4	苑政国	北京航空航天大学光电技术研究所	3	4	1.0	2.0
5	李安琪	北京航空航天大学光电技术研究所	6	36	4.0	6.0