原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
介绍了一种基于部分重构技术的SRAM型FPGA单粒子翻转模拟方法.针对SRAM型FPGA的单粒子翻转特性,建立了一种能够模拟不同线性能量转移(LET)值和注量率(Flux)重离子入射的故障注入模型.该模拟方法可用于对SRAM型FPGA应用电路采用的抗辐照加固效果进行定量预评估,验证不同加固方案的有效性,同时还可减少辐照试验的次数,降低试验成本.基于Virtex-4 SRAM型FPGA,针对三模冗余(TMR)的单粒子翻转加固方法进行了定量评估.评估试验结果表明,该方法较好地模拟了入射粒子LET值和系统电路失效率之间的关系,验证了三模冗余加固方法的有效性.
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文献信息
篇名 基于部分重构的SRAM型FPGA单粒子翻转模拟
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 SRAM型FPGA 单粒子翻转(SEU)模拟 部分重构
年,卷(期) 2015,(12) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 95-99,104
页数 分类号 TN4
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李林 中国科学院电子学研究所 89 1043 18.0 31.0
5 杨海钢 中国科学院电子学研究所 134 485 10.0 15.0
6 蔡刚 中国科学院电子学研究所 13 35 4.0 5.0
7 李悦 中国科学院电子学研究所 18 43 4.0 6.0
11 徐宇 中国科学院电子学研究所 17 16 3.0 3.0
15 贾海涛 中国科学院电子学研究所 4 37 3.0 4.0
16 卢凌云 中国科学院电子学研究所 1 4 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
SRAM型FPGA
单粒子翻转(SEU)模拟
部分重构
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
出版文献量(篇)
9826
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0
总被引数(次)
59060
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