离子径迹结构对SRAM单粒子翻转截面的影响

• 作者: 何安林 蔡莉 郭刚 高丽娟
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 单粒子翻转 离子径迹 电荷收集 扩散 电荷共享
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 1496-1501
• 页数: 6页
• 分类号: O59
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2014.48.08.1496

摘要

本文基于北京HI-13串列加速器的单粒子效应测试终端对0.15μm工艺的SRAM 进行了单粒子效应测试，再次验证了在截面曲线接近饱和区部分，高能离子翻转截面低于低能离子翻转截面的现象。采用Geant4对其进行模拟研究，结果表明，相同LET 条件下高能离子可在较远处沉积能量，更易使同一存储单元内相邻的节点共享电荷发生单粒子翻转恢复而减小其单粒子翻转截面，而低能离子进行单粒子效应测试的结果相对保守。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭刚	中国原子能科学研究院核物理研究所	34	65	4.0	7.0
2	何安林	中国原子能科学研究院核物理研究所	5	6	2.0	2.0
3	高丽娟	中国原子能科学研究院核物理研究所	2	6	1.0	2.0
4	蔡莉	中国原子能科学研究院核物理研究所	3	1	1.0	1.0