脉冲激光模拟SRAM器件单粒子翻转效应的试验方法研究

• 作者: 上官士鹏 余永涛 姜昱光 封国强 韩建伟
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: SRAM 脉冲激光 单粒子翻转效应 激光聚焦深度 激光脉冲注量
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 2137-2141
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2013.47.11.2137

摘要

针对0.13μm和0.35μm工艺尺寸的两款商用SRAM器件进行了脉冲激光背部单粒子翻转效应试验方法研究。单粒子翻转效应主要测试单粒子翻转阈值和单粒子翻转截面，本文主要研究了激光聚焦深度、激光脉冲注量、测试模式和芯片配置的数据对测试两者的影响。试验结果表明：只有聚焦到芯片有源区才可测得最低的翻转阈值和最大的翻转截面，此时的结果与重离子结果基本一致；注量对翻转阈值测试无影响，但注量增大时翻转截面会减小，测试时激光脉冲注量应小于1×107 cm -2；测试模式和存储数据对翻转阈值和翻转截面的影响不大，测试时可不考虑。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩建伟	中国科学院空间科学与应用研究中心	90	549	14.0	18.0
2	余永涛	中国科学院空间科学与应用研究中心	8	40	4.0	6.0
6	封国强	中国科学院空间科学与应用研究中心	22	139	6.0	10.0
7	上官士鹏	中国科学院空间科学与应用研究中心	12	54	4.0	6.0
8	姜昱光	中国科学院空间科学与应用研究中心	5	12	2.0	3.0