SRAM单元中子单粒子翻转效应的Geant4模拟

• 作者: 刘岩 杨善潮 林东生 王桂珍 白小燕 郭晓强 郭红霞 陈伟
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 中子 单粒子翻转 Gcant4 特征尺寸 临界电荷
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 362-367
• 分类号: O571.1
• 语种: 中文

摘要

应用Geant4工具,构造了不同特征尺寸的SRAM单元几何模型及单粒子翻转截面计算模型,分析了敏感体积和临界电荷对低能中子单粒子翻转效应的影响趋势,计算了反应堆裂变中子谱辐射环境下,不同特征尺寸SRAM的中子单粒子翻转截面,认为小尺寸SRAM器件的低能中子单粒子翻转效应更为严重.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈伟		95	286	8.0	11.0
2	郭红霞		81	385	10.0	13.0
3	林东生		33	148	8.0	10.0
4	王桂珍		32	156	7.0	9.0
5	杨善潮		28	101	6.0	7.0
6	白小燕		15	73	6.0	7.0
7	刘岩		10	36	3.0	5.0
8	郭晓强		27	152	7.0	11.0